【導讀】隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應用和大型設備的不斷發(fā)展，市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設計人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權衡取舍的挑戰(zhàn)，安森美(onsemi)基于新一代半導體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優(yōu)化UPS設計。
安森美是領先的智能電源方案供應商之一，也是全球少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商，提供先進的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模塊技術，以及廣泛的分立器件、門極驅動器等周邊器件，滿足低、中、高功率UPS 設計的各種要求，加之技術團隊的應用支援，幫助設計人員解決上述挑戰(zhàn)，滿足大數(shù)據(jù)時代不斷增長的需求。本文重點介紹安森美應用于UPS的SiC方案。
圖1：在線式UPS典型框圖(橙色代表安森美能提供的產品)
在線式UPS更適合大功率應用場景
UPS系統(tǒng)廣泛用于保護從電信和數(shù)據(jù)中心到各種工業(yè)設施等各種應用中的關鍵組件的電源，提供過濾功能和補償電網的短期停電，確?？煽康碾妷汗０垂ぷ髟?，UPS分為離線式UPS、在線互動式UPS和在線式UPS。離線式UPS和在線互動式UPS結構簡單、成本低，在輸入沒有異常的情況下，能效高，但存在切換時間長，激活電池供電的情況多，輸出精度低。所以目前針對數(shù)據(jù)中心等大功率UPS需求的場所，在線式UPS是最常用的，在線式UPS也稱為雙變換式UPS，無論市電是否正常，負載的全部功率均由逆變器給出，所以沒有間斷，輸出質量高，經過高頻脈寬調制(PWM)后，整體波形總諧波失真(THD)小，頻率波動小，但價格高，控制復雜。
新一代UPS的設計挑戰(zhàn)和考量
為了應對持續(xù)增長的電能保護需求，新一代UPS需具有以下特點：
● 超過98%的高能效，高功率密度，功率因數(shù)>0.99，無變壓器設計
● 更高的輸出功率：大型數(shù)據(jù)中心對UPS要求很高，一臺3相輸出的UPS的母線電壓是800 V。模塊化UPS可拓展、高冗余，通過連接多個產品能達到100 kVA更大輸出功率，以應對大型數(shù)據(jù)中心的需求
● 0切換時間：相較離線式UPS的2到10 ms切換時間，在線式UPS具有0切換時間，以應對各種情況下的緊急問題
● 具有調節(jié)輸入電壓和優(yōu)化輸出電壓的能力，以減少電池的使用頻率，從而增加使用時間，節(jié)省成本
● 優(yōu)秀的散熱能力，減少本身由散熱器帶來的重量和成本，同時有能力在受限的空間里增加額外的功率模塊
為了實現(xiàn)這些特性，我們需要權衡考慮以下因素：
● 控制總擁有成本(TCO, Total Cost of Ownership)，包括生產成本、運輸安裝和后期維護的成本，以及存放設備的空間成本等。需要去考慮如何減小散熱片、電感和電解電容以及風扇所占的空間和重量。
● UPS的可拓展化，模塊化UPS的一個巨大優(yōu)勢就是可拓展，當需要增加容量時，只需要添加一個電源模塊，一個模塊尺寸重量較小，即使一個人也可以完成安裝，大大減少了成本。
● 采用在線式UPS，在線式UPS相比其它種類的UPS能夠處理更多輸入電能質量問題，減少電池使用頻率，同時其高頻逆變器能夠輸出高質量高效率的正弦信號為負載供電。
● 拓撲對系統(tǒng)性能和能效的影響，3電平拓撲比2電平拓撲能效更高，在額定功率下，更高能效意味著更小的散熱器和更好的可靠性，最關鍵的是電平數(shù)的增加使得電壓輸出更接近正弦波，但復雜的控制算法、更多的器件以及開關管數(shù)量增加會導致成本增加，設計人員需要在性能和價格之間權衡取舍。
● 使用SiC作為開關器件。
安森美用于UPS的SiC方案：陣容廣，性能優(yōu)
由于SiC具有更高的耐壓能力、更低的損耗以及更高的導熱率，可賦能UPS設計更高的功率密度和優(yōu)化的系統(tǒng)成本，較低的系統(tǒng)損耗和更高的系統(tǒng)能效。安森美在SiC領域有著深厚的歷史積淀，垂直整合模式確?？煽康钠焚|和供應。
圖2：安森美SiC的領先地位
安森美的SiC MOSFET和SiC二極管產品線非常豐富，包含各種電壓等級。SiC MOSFET從650 V到1200 V，并且即將發(fā)布1700 V的產品，SiC二極管則是從650 V到1700 V都具備。對于UPS來說，SiC MOSFET主要選擇Rdson更小的產品。如安森美適用于UPS的1200 V M3S SiC MOSFET比領先行業(yè)的競爭對手減少達20%的功率損耗，原因是其使用更大尺寸的晶片(die)，從而減少Rdson。
圖3：安森美的SiC方案陣容廣，性能優(yōu)
安森美目前主推的4-pin SiC MOSFET，相比3-pin的產品，額外的一根開爾文引腳(Kelvin Source)可消除源極引腳上的寄生電感，可提供更快的開關速度，從而降低導通損耗。
隨著UPS的單元功率逐漸增加，也會有更多的設計人員考慮模塊產品，將許多不同功能、大小的晶圓如IGBT、二極管封裝在一個模塊里，可減小由于單管引腳帶來的雜散電感，降低器件在快速關斷時產生的電壓應力，減少生產流程的工序，提高產線效率，減輕了電氣和結構研發(fā)設計人員的工作量，避免了因為單管工藝復雜造成的產品不良率，也讓BOM的采購和供應鏈變得簡單，縮短了產品投入市場的時間。而且從系統(tǒng)集成的角度來分析，模塊的高成本是可以被其他優(yōu)點攤薄的，例如簡化生產流程和PCB的設計，高功率密度，較低的散熱系統(tǒng)成本，簡單的絕緣設計等。由于組裝模塊時的晶片都來自同一片晶圓上相鄰的器件，晶片的一致性更高，這有利于晶片并聯(lián)均流，增加了系統(tǒng)的長期運行可靠性。
安森美的半橋1200 V SiC MOSFET 2-PACK模塊，含有2顆1200 V M1 SiC MOSFET，和一顆熱敏測溫電阻， Rdson非常低。它具有2種封裝，F(xiàn)2封裝NXH006P120MNF2的尺寸是F1 封裝NXH010P120MNF1的一倍，更適合大功率的產品。同時，尺寸更大的die能改減少熱阻，增加可經過的電流。安森美的900 V M2 SiC MOSFET 維也納模塊NXH020U90MNF2由兩個900 V開關和2個1200 V SiC二極管組成，維也納拓撲常用于PFC，相比其它的3電平方案，維也納拓撲具有器件少，控制簡單的特點。
除此之外，安森美的多通道SiC boost模塊系列如下表，可用于電池充放電部分。
不同模塊的損耗對比
我們在一個boost升壓電路對不同模塊進行了對比，SiC MOSFET的導通損耗比IGBT混合模塊低1到2倍，其關斷損耗Eoff低5倍以上。這對提高系統(tǒng)開關頻率，降低損耗意義很大。若在相同的開關頻率下，全SiC模塊較混合模塊的溫升和損耗更低，允許使用更小更經濟的散熱器，或者說散熱條件一樣時可以輸出更高的功率。換一種評估方式，假設每路輸出功率10 kW，隨著開關頻率的增加，由于較大的開關損耗，IGBT的結溫和損耗遠高于SiC MOSFET，因而全SiC 模塊在減小電感值、電感尺寸和重量方面有巨大優(yōu)勢。
圖4. 不同模塊的損耗對比
總結
SiC有助于變革性地優(yōu)化UPS設計，滿足大數(shù)據(jù)時代UPS小型化、高容量化、高效化的要求。安森美在SiC領域處于領先地位，是世界上少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商之一，為UPS提供多種電壓等級的高能效、高性能SiC MOSFET、SiC二極管、全SiC模塊和混合SiC模塊，配合安森美針對SiC優(yōu)化的門極驅動器、傳感、隔離和保護IC等周邊器件和應用支援，幫助設計人員在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間做出最佳的權衡取舍。更多的UPS方案，請點擊這里查看。
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