制造工藝的區(qū)別：厚膜電阻一般采用絲網印刷工藝，薄膜電阻采用的是真空蒸發(fā)、磁控濺射等工藝方法。厚膜電阻和薄膜電阻在材料和工藝上的區(qū)別直接導致了兩種電阻在性能上的差異。厚膜電阻一般精度較差，10%，5%，1%是常見精度，而薄膜電阻則可以做到0.01%萬分之一精度，0.1%千分之一精度等。同時厚膜電阻的溫度系數上很難控制，一般較大，同樣的，薄膜電阻則可以做到非常低的溫度系數，這樣電阻阻值隨溫度變化非常小，阻值穩(wěn)定可靠。所以薄膜電阻常用于各類儀器儀表，醫(yī)療器械，電源，電力設備，電子數碼產品等。

 

 

厚膜電阻采用的絲網印刷法，就是在陶瓷基底上貼一層鈀化銀電極，然后在電極之間印刷一層二氧化釕作為電阻體。厚膜電阻的電阻膜通常比較厚，大約100微米。厚膜電阻是目前應用最多的電阻，價格便宜，容差有5%和1%，絕大多數產品中使用的都是5%和1%的片狀厚膜電阻。

 

 

薄膜電阻就是氧化鋁陶瓷基底上通過真空沉積形成鎳化鉻薄膜，通常只有0.1um厚，只有厚膜電阻的千分之一，然后通過光刻工藝將薄膜蝕刻成一定的形狀。光刻工藝十分精確，可以形成復雜的形狀，因此，薄膜電容的性能可以控制的很好。

 

 

從圖可以看出薄膜電阻電阻具有最佳溫度敏感沉積層厚度，但最佳薄膜厚度產生的電阻值嚴重限制了可能的電阻值范圍。因此，采用各種沉積層厚度可以實現不同的電阻值范圍。薄膜電阻的穩(wěn)定性受溫度上升的影響。薄膜電阻穩(wěn)定性的老化過程因實現不同電阻值所需的薄膜厚度而不同，因此在整個電阻范圍內是可變的。這種化學/機械老化還包括電阻合金的高溫氧化。此外，改變最佳薄膜厚度還會嚴重影響 TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，因此高阻值薄膜電阻退化率非常高。

 

TCR是一個不容忽視的微小參數，它的單位是ppm/℃（每℃溫度變化所引起的阻值改變了百萬分之幾）。1%的普通電阻的TCR系數在幾千ppm/°C范圍內，整體阻值的變化與電阻的材料、實際功率以及物理尺寸有關系。

 

 

厚膜電阻依靠玻璃基體中粒子間的接觸形成電阻。這些觸點構成完整電阻，但工作中的熱應變會中斷接觸。由于大部分情況下并聯(lián)，厚膜電阻不會開路，但阻值會隨著時間和溫度持續(xù)增加。因此，與其他電阻技術相比，厚膜電阻穩(wěn)定性差 （時間、溫度和功率）。

薄膜電阻的物理結構決定了他的電流特性：

 

 

由于結構中成串的電荷運動，粒狀結構還會使厚膜電阻產生很高的噪聲。給定尺寸下，電阻值越高，金屬成份越少，噪聲越高，穩(wěn)定性越差。厚膜電阻結構中的玻璃成分在電阻加工過程中形成玻璃相保護層，因此厚膜電阻的抗?jié)裥愿哂诒∧る娮琛?/div>