【導(dǎo)讀】電源管理集成電路（PMIC）設(shè)計涉及電源轉(zhuǎn)換、電壓調(diào)節(jié)、電流管理等核心領(lǐng)域。隨著技術(shù)節(jié)點的演進(jìn)，功率器件面臨著更大的電壓差、更高的電流密度以及更為嚴(yán)苛的功率/熱耗散要求；金屬互聯(lián)層的電阻在整體導(dǎo)通電阻中的占比越來越大；異形大金屬圖層以及功率器件拆分方式對參數(shù)提取的準(zhǔn)確性造成了影響；封裝對芯片內(nèi)電氣特性的影響亦愈發(fā)顯著。這些因素共同對功率設(shè)計在電遷移（EM）、熱性能（Thermal）和導(dǎo)通電阻（RDSon）等可靠性方面帶來了新的挑戰(zhàn)。此外，如何高效地驅(qū)動具有較大有效柵極寬度的PowerMOS，以及如何防止上下管開關(guān)切換過程中的穿通漏電現(xiàn)象，也成為功率設(shè)計領(lǐng)域的核心難題。
電源管理集成電路（PMIC）設(shè)計涉及電源轉(zhuǎn)換、電壓調(diào)節(jié)、電流管理等核心領(lǐng)域。隨著技術(shù)節(jié)點的演進(jìn)，功率器件面臨著更大的電壓差、更高的電流密度以及更為嚴(yán)苛的功率/熱耗散要求；金屬互聯(lián)層的電阻在整體導(dǎo)通電阻中的占比越來越大；異形大金屬圖層以及功率器件拆分方式對參數(shù)提取的準(zhǔn)確性造成了影響；封裝對芯片內(nèi)電氣特性的影響亦愈發(fā)顯著。這些因素共同對功率設(shè)計在電遷移（EM）、熱性能（Thermal）和導(dǎo)通電阻（RDSon）等可靠性方面帶來了新的挑戰(zhàn)。此外，如何高效地驅(qū)動具有較大有效柵極寬度的PowerMOS，以及如何防止上下管開關(guān)切換過程中的穿通漏電現(xiàn)象，也成為功率設(shè)計領(lǐng)域的核心難題。
Empyrean Polas?解決方案
華大九天推出的Empyrean Polas?工具，憑借其先進(jìn)的3D場求解器提取算法，成功突破了傳統(tǒng)RC參數(shù)提取方法的瓶頸，特別是在處理PMIC設(shè)計中的電源版圖特殊形狀和大面積圖形時，工具展現(xiàn)出卓越的質(zhì)量和性能。依托其高精度的提取結(jié)果，Polas能夠精準(zhǔn)執(zhí)行電源路徑的EMIR和RDSon仿真分析。此外，Polas還支持針對電源分配網(wǎng)絡(luò)（PDN）及關(guān)鍵信號路徑全面分析，包括PDNEMIR/RMAP/P2PEM/P2PR等，覆蓋了物理和電氣特性，有助于用戶深入理解物理設(shè)計，優(yōu)化設(shè)計流程，提升產(chǎn)品性能和可靠性。針對動態(tài)場景的需求，Polas提供了一套全面的分析功能體系。其中，Gate Delay分析能夠精確監(jiān)測到PowerMOS管的開啟延遲分布；CrossMonitor分析則專注于解決上下管切換時可能出現(xiàn)的穿通漏電問題，為用戶提供了優(yōu)化PowerMOS管開關(guān)時序，解決相關(guān)問題的有力工具。作為一站式解決方案，Polas不僅能夠有效提升設(shè)計質(zhì)量，還有效避免因設(shè)計缺陷導(dǎo)致的返工問題，從而節(jié)省用戶的寶貴時間和成本。
PowerMOS EMIR/RDSon應(yīng)用
EMIR分析涵蓋了電遷移（Electromigration）和IR降壓（Voltage Drop）兩大關(guān)鍵領(lǐng)域，旨在評估電路中電流密度及電壓降對互連可靠性的影響。RDSon分析則專注于功率電子器件的導(dǎo)通電阻，尤其是涉及BCD和氮化鎵（GaN）等功率器件，導(dǎo)通電阻是衡量功率器件效率和性能的核心指標(biāo)。
美國芯源系統(tǒng)有限公司（Monolithic Power Systems, Inc.，簡稱MPS）是一家全球知名的高性能模擬和混合信號半導(dǎo)體企業(yè)。在其產(chǎn)品開發(fā)流程中，Polas工具已被廣泛應(yīng)用于實際項目中。通過EMIR和RDSon分析，Polas能夠精準(zhǔn)識別金屬層（Metal layer）中電流密度過高的薄弱環(huán)節(jié)，協(xié)助用戶對版圖進(jìn)行優(yōu)化，從而有效降低RDSon導(dǎo)通電阻，提升功率器件的工作效率。通過與硅片實測（SILICON）結(jié)果的對比分析，Polas工具的分析精度和優(yōu)化效果得到了充分驗證。
納芯微電子（NOVOSENSE Microelectronics）是一家高性能高可靠性模擬及混合信號芯片公司。公司采用Polas工具對模擬芯片設(shè)計進(jìn)行了RDSon分析，并結(jié)合完整的封裝級仿真，一方面獲取與實測結(jié)果高度匹配的仿真數(shù)據(jù)，另一方面為Pillar、RDL及PCB設(shè)計提供了指導(dǎo)，優(yōu)化了PCB走線電阻和芯片內(nèi)部走線電阻。
Resistance MAP應(yīng)用
在電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計領(lǐng)域，備受關(guān)注的IR-drop問題、電流密度（CD）等關(guān)鍵指標(biāo)都與電源網(wǎng)絡(luò)的電阻特性密切相關(guān)。RMAP分析通過深入探究電阻的物理特性，細(xì)致分析當(dāng)前電源網(wǎng)絡(luò)中的電阻分布，為用戶提供了版圖檢查和優(yōu)化的有力工具。
臺灣Ekepower公司在其時鐘生成電路設(shè)計流程中引入了Polas工具，通過運用RMAP分析，便捷且迅速地洞察電源網(wǎng)絡(luò)的電阻分布圖。這不僅有助于用戶對電源網(wǎng)絡(luò)的物理布局進(jìn)行全面審視，還能幫助用戶精準(zhǔn)定位阻抗瓶頸點。
PowerMOS上下管切換導(dǎo)通電流檢查
PowerMOS場效應(yīng)晶體管通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流，從而實現(xiàn)開關(guān)功能。在其上下管切換過程中，需要特別關(guān)注存在導(dǎo)通電流的情況。因為一旦上下管同時處于導(dǎo)通狀態(tài)，可能會引起電源短路，嚴(yán)重?fù)p壞MOS管本身，還可能對整個電源系統(tǒng)造成破壞性影響。
一家致力于Audio Power設(shè)計的臺灣PMIC公司，使用Polas工具中的Cross Monitor分析功能，對死區(qū)時間設(shè)計進(jìn)行了細(xì)致的合理性檢驗。該功能通過監(jiān)控PowerMOS上下管在高低導(dǎo)通狀態(tài)切換過程中的電流變化，能夠判斷設(shè)計中的死區(qū)時間設(shè)置是否得當(dāng)。這項分析為用戶提供了至關(guān)重要的反饋信息，指導(dǎo)他們對Power IC設(shè)計進(jìn)行優(yōu)化，從而提高了產(chǎn)品的可靠性和工作效率。
結(jié)語
華大九天推出的Empyrean Polas?工具是一款專為功率設(shè)計可靠性分析而設(shè)計的先進(jìn)工具。它集成了一套系統(tǒng)化的分析方案，全面覆蓋RDSon、EM/IR-drop、Power Gate Timing、RMAP、P2PR/EM以及PDN網(wǎng)絡(luò)檢查
來源：華大九天
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