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射頻器件知多少?功放事兒這里找!

發(fā)布時間:2013-07-26 來源:電子元件技術網(wǎng) 責任編輯:Cynthiali

【導讀】有人的工作離不開射頻功放,有人的生活離不開射頻功放,總之,人人都離不開射頻功放。你知道4G時代帶給你手機里射頻功放的麻煩嗎?你知道射頻功放的基礎技術嗎?你知道CMOS PA和GaAs PA的糾葛嗎?你知道Galaxy S4為什么選用RFMD的3G/4G多模多頻段PA嗎?……最新的射頻功放全解析:從技術、選型到應用、市場,讓你決不再對射頻功放的事兒懵懵懂懂。

射頻器件知多少?功放事兒這里找!

聲明:本文由《電子元件技術網(wǎng)》原創(chuàng),謝絕轉(zhuǎn)載!

射頻工程師看過來:功率放大器那點事!

身為射頻工程師,工作多多少少都會涉及到功率放大器。功率放大器可以說是很多射頻工程師繞不過的坎。功能、分類、性能指標、電路組成、效率提升技術、發(fā)展趨勢……關于射頻功率放大器,該知道的你都知道么?快來補補課吧——射頻功率放大器RFPA的功能、射頻功率放大器RFPA的分類、射頻功率放大器RFPA的性能指標、射頻功率放大器RFPA的電路組成(晶體管、偏置及穩(wěn)定電路、輸入輸出匹配電路)、射頻功率放大器RFPA穩(wěn)定的實現(xiàn)方式、射頻功率放大器RFPA的效率提升技術、手機射頻模塊功率放大器(PA)市場情況:http://hunt-properties.com/rf-art/80021093

手機無線通信模塊解析:多模多頻下的射頻挑戰(zhàn)和對策

智能手機無線通信模塊由芯片平臺、射頻前端和天線3大部分構(gòu)成。LTE引入后多模終端需支持更多的頻段,這將導致射頻前端器件堆積。本文通過對無線通信模塊各部分的一一解讀,分析多模多頻段終端在產(chǎn)品實現(xiàn)上所面臨的挑戰(zhàn)和對策——多模多頻段終端實現(xiàn)所面臨的挑戰(zhàn)(射頻功放濾波器件、基帶芯片、射頻芯片)、多模多頻段終端實現(xiàn)優(yōu)化方案建議、優(yōu)化的射頻芯片實現(xiàn)方案:http://hunt-properties.com/rf-art/80021152

手機射頻技術和手機射頻模塊基礎解讀

手機在向雙模/多模發(fā)展的同時集成了越來越多的RF技術。手機射頻模塊有哪些基本構(gòu)成?它們又將如何集成?RF收發(fā)器,功率放大器,天線開關模塊,前端模塊,雙工器,SAW濾波器……跟著本文,來一一認識手機射頻技術和射頻模塊的關鍵元件們吧——手機射頻技術和手機射頻模塊基本構(gòu)成、手機射頻模塊功率放大器(PA)、手機射頻模塊RF收發(fā)器、手機射頻前端模塊(FEM)、手機RF模塊發(fā)展趨勢:http://hunt-properties.com/rf-art/80021080

LTE頻段多,3G/4G手機RF射頻前端如何破?

現(xiàn)在,一部手機需支持3G/4G等不同制式,同一制式還需支持不同頻段。進入LTE時代,頻段越來越多,一部手機往往需要多顆不同頻段不同制式的功率放大器、濾波器與雙工器。在非常小的體積內(nèi),要滿足射頻前端的需求,還要不犧牲性能,怎么破?——如何集成這些不同頻段和制式的功率放大器、多頻多模放大器(MMPA)趨勢、特殊性能的濾波器趨勢、RF前端的集成趨勢帶來的挑戰(zhàn)和對策:http://hunt-properties.com/rf-art/80021124

高通CMOS PA已出馬,GaAs PA還有前途嗎?

2013年2月份,高通推出可以對應LTE的CMOS PA,這再一次點燃了CMOS與GaAs之間的戰(zhàn)火。但大部分人認為高通此舉不是為了搶占GaAs廠家的市場,只是為了增加自己Baseband的競爭力。換句話說,GaAs PA的地位暫時不會受到CMOS PA撼動,是這樣嗎?——高通推出RF360主要是針對聯(lián)發(fā)科和展訊目標市場是中國山寨機Whitebox廠家。多家初創(chuàng)公司一直致力用CMOS PA替代砷化鎵PA,而RFMD、Anadigics和英飛凌等現(xiàn)有供應商仍對CMOS PA持懷疑態(tài)度,但GaAS大廠也紛紛收購CMOS PA公司做技術儲備:http://ep.cntronics.com/voice/372

Galaxy S4為什么選用RFMD的3G/4G多模多頻段PA?

三星第四代智能手機Galaxy S4采用了RFMD的多個3G/4G LTE RF元件,包括RF7388多模多頻段3G/4G PA、多個RF73xx系列超高效率LTE PA和業(yè)界領先的天線控制解決方案RF1119。RF1119允許實現(xiàn)更薄的智能手機。——除了RF7388、RF7307、RF7320和RF7321以外,RFMD還提供RF1119天線控制解決方案來優(yōu)化和最小化Galaxy S4的天線功能:http://hunt-properties.com/rf-art/80021127

“少就是多”,LTE需要全新的移動射頻前端

智能手機內(nèi)部的PCB已成為移動終端第二大最珍貴且競爭最激烈的領域,僅次于無線電頻譜。具有諷刺意味的是,本來為緩解帶寬稀缺問題而出現(xiàn)的新增無線電頻段的擴展,卻恰恰加劇了智能手機內(nèi)PCB空間的壓力,再沒有多余的空間來擴大射頻前端。怎么辦?在這種情況下,最需要的就是“以少勝多”的全新移動射頻前端。——射頻前端的設計方法、射頻頻段擴展,而不增加PCB空間、包絡功率追蹤器、業(yè)內(nèi)首次使用的3D 射頻封裝或RF POP TM解決方案、自適應天線調(diào)諧器、功率放大器性能、高通推出的創(chuàng)新集合體Qualcomm RF360射頻前端解決方案:http://hunt-properties.com/rf-art/80021208

下頁內(nèi)容:射頻功放RFPA最新應用和市場

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LTE手機關鍵技術:RF MEMS實現(xiàn)天線性能突破

作為手機設計中的關鍵技術,RF MEMS已吸引不少元件供應商、手機廠加緊投入研發(fā)。據(jù)透露,內(nèi)建RF MEMS的LTE手機可望于今年夏天競相出籠,從初期的高階LTE多頻多模手機應用,到中低階手機市場,RF MEMS將成為新一代手機標配。——2014~2016年,RF MEMS技術將再度躍進,包括RF前端模組的功率放大器、濾波器(Filter)和雙工器(Duplexer)均可動態(tài)調(diào)整,進而達成更高效率;另外,由于RF MEMS相容CMOS制程并支援數(shù)位介面,未來亦可望與邏輯晶片進一步結(jié)合,實現(xiàn)更高整合度的手機系統(tǒng)解決方案:http://hunt-properties.com/rf-art/80021134

高性能放大器市場ADI獨占50%份額,致勝法寶披露

雖然今天做放大器的供應商很多,但在高性能放大器市場,全球主要供應商只有5家,其中ADI獨領風騷,一家獨占高性能放大器市場50%份額,領先最接近的競爭對手20%。下文披露ADI的兩大致勝法寶。——在高性能放大器領域,ADI能始終處于領先地位,它的致勝法寶是什么?中國廠商也在放大器市場躍躍欲試,在某些應用上也有精彩表現(xiàn),ADI對此有何作為?中國市場放大器應用多而分散,ADI有無應對良策?http://hunt-properties.com/rf-art/80021129

效率達到16%和14.5%的1/4瓦和1/2瓦LTE小單元應用PA

Anadigics最近針對WCDMA、HSPA和LTE small-cell應用推出兩款PA AWB7122和AWB7124,分別提供16%和14.5%效率,并可在24.5dBm輸出功率和30dB RF增益時提供杰出的-47dBc ACPR,這可在更大的覆蓋區(qū)域內(nèi)提供更高的數(shù)據(jù)速率:http://ep.cntronics.com/guide/4573/293

TriQuint新增12款射頻芯片產(chǎn)品,提供無線回程完整方案


TriQuint今天發(fā)布12款新品,用于服務3G/4G蜂窩回程以及相關應用的15GHz和23GHz點對點 (PtP) 無線電。TriQuint本次推出的新產(chǎn)品重點強調(diào)兩個完整的射頻芯片組系列,為無線回程微波無線電提供完整的解決方案。http://hunt-properties.com/rf-art/80021105

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