導(dǎo)言:這款收發(fā)器小巧緊湊,具有先進(jìn)的性能且API靈活變通,支持覆蓋全球的頻段和模式,可廣泛應(yīng)用于2G/3G/4G移動(dòng)產(chǎn)品。極大地降低了無線電系統(tǒng)的功耗,天線諧調(diào)則優(yōu)化了天線的整體輻射功率輸出,于2012第二季度開始供貨。
富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司發(fā)布其下一代單芯片2G/3G/4G收發(fā)器MB86L11A。該款多模多頻芯片支持LTE(FDD和TDD)、HSPA+、WCDMA、GSM、EDGE、EDGE-EVO、CDMA以及TD-SCDMA等所有模式。新品樣片于2012第二季度開始供貨。
圖題:MB86L11A 2G/3G/4G收發(fā)器
“富士通MB86L11A具有先進(jìn)的性能,且功耗低、占位面積小、API靈活變通,可降低設(shè)備的總成本并加快新產(chǎn)品上市時(shí)間。如果無線設(shè)備供應(yīng)商計(jì)劃在各種頻段和模式組合下引入帶漫游功能的區(qū)域設(shè)備和全球設(shè)備,富士通的這款新收發(fā)器將為他們解決重大難題。”富士通半導(dǎo)體亞太區(qū)市場(chǎng)部副總裁鄭國(guó)威先生表示。
下一代 MB86L11A 2G/3G/4G收發(fā)器
MB86L11A 2G/3G/4G多模多頻收發(fā)器具有支持電流損耗和RF參數(shù)的基準(zhǔn)性能。采用小封裝的新品具有許多創(chuàng)新特性,包括強(qiáng)化功率控制、包絡(luò)跟蹤(ET)和天線諧調(diào)(AT)功能。包絡(luò)跟蹤技術(shù)極大地降低了無線電系統(tǒng)的功耗,同時(shí)還能改善發(fā)射機(jī)效率。天線諧調(diào)則優(yōu)化了天線的整體輻射功率輸出。這兩個(gè)特性將優(yōu)化移動(dòng)設(shè)備的電池壽命。
高級(jí)編程接口(API)不僅縮短了工廠量產(chǎn)校準(zhǔn)時(shí)間,還提供靈活變通的端口映射并增加了定制關(guān)鍵績(jī)效指標(biāo)(KPI)。除此以外,MB86L11A還采用了富士通首創(chuàng)的SAW-less體系結(jié)構(gòu),可節(jié)省外部低噪聲放大器(LNAs)。
MB86L11A還具有其他特性,包括發(fā)射器上的8個(gè)RF輸出、IC上的9個(gè)直接RF輸入和6個(gè)分級(jí)RF輸入,可更為靈活地為不同市場(chǎng)提供所需要的映射端口和頻段。該收發(fā)器使用公開標(biāo)準(zhǔn)MIPI DigRFSM基帶接口,具有DigRF 4G和DigRF 3G接口,可連接既存的2G/3G基帶平臺(tái)和最新的多模式4G基帶。
本芯片支持全球范圍內(nèi)的FDD和TDD帶域,包括1-21、23-25和33-41。MB86L11A與富士通早期LTE多模多頻收發(fā)器一樣,支持高達(dá)20MHz帶寬的2G/3G/4G網(wǎng)絡(luò)。路線圖上將來的收發(fā)器包括4G LTE優(yōu)化芯片、3GPP Release 10以及波載聚合兼容的單RFIC解決方案。
關(guān)于富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司
富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司是富士通在中國(guó)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大連、廈門、西安及青島等地均設(shè)有分公司,負(fù)責(zé)統(tǒng)籌富士通在中國(guó)半導(dǎo)體的銷售、市場(chǎng)及現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)支持服務(wù)。
富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司的產(chǎn)品包括專用集成電路(ASIC)、單片機(jī)(MCU)、專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSP)/片上系統(tǒng)(SoC)和系統(tǒng)存儲(chǔ)芯片,它們是以獨(dú)立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶,并應(yīng)用于廣泛領(lǐng)域。在技術(shù)支持方面,分布于上海、香港及成都的IC設(shè)計(jì)中心和解決方案設(shè)計(jì)中心,通過與客戶、設(shè)計(jì)伙伴、研發(fā)資源及其他零部件供應(yīng)商的溝通、協(xié)調(diào),共同開發(fā)完整的解決方案,從而形成一個(gè)包括中國(guó)在內(nèi)的完整的亞太地區(qū)設(shè)計(jì)、開發(fā)及技術(shù)支持網(wǎng)絡(luò)。
應(yīng)用于2G/3G/4G的多模多頻單芯片收發(fā)IC
發(fā)布時(shí)間:2012-08-01 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng)
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