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開關(guān)電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

發(fā)布時(shí)間:2012-02-10

中心議題:

  • 開關(guān)電源中的電磁干擾
  • MOSFET的漏源極電壓特征參數(shù)的確定
  • 開關(guān)信號(hào)電磁干擾的頻譜情況及各參數(shù)對(duì)頻譜的影響


1引言

開關(guān)電源是目前用途非常廣泛的一種電源設(shè)備,然而隨著開關(guān)頻率以及開關(guān)速度的不斷提高,產(chǎn)生的電磁干擾越來越大,由于市場(chǎng)準(zhǔn)入制度的實(shí)施,電磁干擾研究已引起了足夠的重視。干擾源是電磁干擾的三要素之一,是電磁干擾研究的重要部分,文獻(xiàn)[1~2]對(duì)干擾源進(jìn)行了說明和描述,還有些學(xué)者對(duì)抑制干擾源發(fā)射的方法和干擾源的輻射進(jìn)行了研究。本文從干擾源入手,對(duì)時(shí)域開關(guān)電壓信號(hào)進(jìn)行電磁干擾特性研究,通過提取MOSFET時(shí)域電壓信號(hào)的特征參數(shù),利用傅立葉變換(FFT)法,分析了開關(guān)信號(hào)電磁干擾的頻譜情況以及各參數(shù)對(duì)頻譜的影響,通過Matlab仿真證明了上述分析的正確性及工程實(shí)用性。由于FFT后頻域信號(hào)的幅值差別較大,難以研究,因此本文在FFT后,進(jìn)行了對(duì)數(shù)變換,這樣既方便研究,又便于與實(shí)際進(jìn)行對(duì)比。

2開關(guān)電源中的電磁干擾

由于開關(guān)電源運(yùn)用了三極管的開關(guān)作用以及PWM技術(shù),使得它與線性電源相比在效率上得到了極大的提高,但是也隨之帶來了許多問題,在三極管的開關(guān)過程中,其di/dt, dv/dt的值很大,這使得開關(guān)電源在很寬的頻率范圍內(nèi)的噪聲都很大,這些噪聲經(jīng)過電源線傳輸?shù)诫娋W(wǎng)或其它電子設(shè)備上,就會(huì)形成電磁干擾。開關(guān)管處的電磁干擾是引起開關(guān)電源中電磁干擾現(xiàn)象的重要部分,開關(guān)管是重要干擾源。

圖1所示是某型號(hào)開關(guān)電源中MOSFET漏源極的電壓波形,由一個(gè)梯形信號(hào)和一個(gè)阻尼振蕩信號(hào)疊加而成,梯形信號(hào)的上升時(shí)間和下降時(shí)間一般在十納秒到一百納秒之間,電壓和電流的變化率很快,而阻尼振蕩信號(hào)則成正弦波的指數(shù)衰減形式,它的振蕩周期一般為幾十到幾百納秒。由于梯形信號(hào)上升沿下降沿的di/dt, dv/dt很大,將產(chǎn)生很強(qiáng)的干擾電壓和電流,這些電壓和電流通過某種耦合方式傳輸?shù)捷斎牒洼敵龆丝诰蜁?huì)形成電磁干擾。在開關(guān)電源中,干擾源處的電磁干擾通常具有頻譜范圍廣,干擾強(qiáng)度大的特點(diǎn)。

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3 特征參數(shù)的確定

圖1中展示了一MOSFET的漏源極電壓波形,為了研究其上升時(shí)間、下降時(shí)間、阻尼振蕩等對(duì)其頻譜的影響,需要確定該波形的特征參數(shù),然后運(yùn)用Matlab編程仿真。由于該波形是由一個(gè)梯形信號(hào)和一個(gè)阻尼振蕩信號(hào)疊加而成,因此可以用分段函數(shù)進(jìn)行模擬。上升沿可以用式(1)表示。



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4 仿真分析

本文采用了Matlab進(jìn)行仿真。圖2是根據(jù)函數(shù)(1)~(4)及確定的特征參數(shù)對(duì)圖1仿真得到的開關(guān)信號(hào)及其頻譜情況,其中,

從圖中可以看出,該信號(hào)的頻率范圍很寬,頻域信號(hào)的幅值也很大,當(dāng)然,這些干擾信號(hào)在耦合到電源外部形成電磁干擾時(shí),能量會(huì)有很大的衰減。

仿真時(shí),由于傅立葉變換后各頻率點(diǎn)的幅值變化太大,研究工作非常困難,因此本文對(duì)傅立葉變換后的幅值進(jìn)行了取對(duì)數(shù)處理,另外對(duì)1dBuV的值也進(jìn)行了歸零。

開關(guān)信號(hào)的上升和下降沿對(duì)干擾的幅值影響很大,圖3是上升時(shí)間或下降時(shí)間為10ns時(shí)的上升沿或下降沿的頻譜,把上升時(shí)間或下降時(shí)間改為100ns再仿真時(shí)發(fā)現(xiàn):當(dāng)上升時(shí)間或下降時(shí)間增加時(shí),隨著頻率的升高,幅值減小的越快,也就是說,上升或下降時(shí)間的變化對(duì)高頻干擾幅值影響更大。表1中列出了上升時(shí)間或下降時(shí)間為10ns和100ns時(shí),不同頻率的電磁干擾幅值和比較結(jié)果。從圖中還可以看出在頻率為及其諧波頻率附近,電磁干擾的幅值有一個(gè)很大的下降。


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為了研究阻尼振蕩對(duì)電磁干擾的影響,本文同樣單獨(dú)對(duì)其進(jìn)行了研究,圖4為其頻譜,

當(dāng)把振蕩周期從10個(gè)變?yōu)?個(gè)時(shí),對(duì)比發(fā)現(xiàn):振蕩時(shí)間的長短對(duì)振蕩頻率附近的幅值影響最大,對(duì)其它頻率的幅值影響很小。表2列出了振蕩周期分別為10個(gè)和5個(gè)時(shí)不同頻率的幅值。


由以上分析可以看出,適當(dāng)?shù)脑黾娱_關(guān)信號(hào)的上升和下降時(shí)間,可以降低電磁干擾的發(fā)射,對(duì)高頻更為明顯,盡量減小阻尼振蕩的時(shí)間,對(duì)振蕩頻率附近的電磁干擾發(fā)射,具有明顯的效果。

5 結(jié)論

本文研究了開關(guān)電源中MOSFET漏源極電壓信號(hào)電磁干擾的頻譜特性,發(fā)現(xiàn)該信號(hào)上升和下降時(shí)間的變化對(duì)高頻干擾的幅值影響更大,且在頻率為上升和下降時(shí)間的倒數(shù)及其諧波附近,干擾幅值有一個(gè)突降。通過研究該信號(hào)中阻尼振蕩時(shí)間、周期等參數(shù)對(duì)電磁干擾的影響,得知振蕩時(shí)間的長短對(duì)振蕩頻率附近的幅值影響最大,對(duì)其它頻率的幅值影響很小。

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