機(jī)遇與挑戰(zhàn)：

• 功率半導(dǎo)體下游需求旺盛
• MOSFET市場(chǎng)前景廣闊
• 中國(guó)企業(yè)技術(shù)有突破
• 功率半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)口替代空間巨大

市場(chǎng)數(shù)據(jù)：

• 2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元

功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%。

MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷(xiāo)售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。

IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷(xiāo)售額大約為31.36億美元，IGBT的銷(xiāo)售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為8%.IGBT主要用于通信、工業(yè)、醫(yī)療、家電、照明、交通、新能源、半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、航空、航天及國(guó)防等諸多領(lǐng)域。

中國(guó)企業(yè)技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破，功率半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)口替代空間巨大。2009年我國(guó)功率半導(dǎo)體銷(xiāo)售額已超過(guò)870億元，同比增長(zhǎng)5.86%.我國(guó)的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在未來(lái)幾年里還會(huì)保持增長(zhǎng)，2010年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)10%,市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到956.6億元，2011年將達(dá)到1060.5億元。由于目前中國(guó)市場(chǎng)功率半導(dǎo)體器件有接近90%需要進(jìn)口，因此中國(guó)掌握功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的企業(yè)未來(lái)面
臨巨大的進(jìn)口替代市場(chǎng)空間。國(guó)家對(duì)于功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的扶持力度加大。在2009年出臺(tái)的《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》中，明確提出要提高新型電力電子器件、高頻頻率器件等產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)能力，初步形成完整配套、相互支撐的電子元器件產(chǎn)業(yè)體系。2010年3月19日國(guó)家發(fā)改委專(zhuān)門(mén)出臺(tái)針對(duì)支持功率半導(dǎo)體發(fā)展的文件《國(guó)家發(fā)展改革委辦公廳關(guān)于組織實(shí)施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專(zhuān)項(xiàng)的通知》，重點(diǎn)支持MOSFET、IGCT、IGBT、FRD等新型電力電子芯片和器件的產(chǎn)業(yè)化。