帶你讀懂MOS管參數(shù)「熱阻、輸入輸出電容及開關(guān)時(shí)間」
發(fā)布時(shí)間:2020-09-16 責(zé)任編輯:lina
【導(dǎo)讀】熱阻,英文Thermal resistance,指的是當(dāng)有熱量在物體上傳輸時(shí),在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值,單位是℃/W或者是K/W。
我們打開一個(gè)MOS管的SPEC,會(huì)有很多電氣參數(shù),今天說一說熱阻、電容和開關(guān)時(shí)間這三個(gè)。
熱阻,英文Thermal resistance,指的是當(dāng)有熱量在物體上傳輸時(shí),在物體兩端溫度差與熱源的功率之間的比值,單位是℃/W或者是K/W。
半導(dǎo)體散熱的三個(gè)途徑,封裝頂部到空氣,封裝底部到電路板,封裝引腳到電路板。
結(jié)到空氣環(huán)境的熱阻用ThetaJA表示,ThetaJA = (Tj-Ta)/P
其中Tj為芯片結(jié)溫,Ta為芯片環(huán)境溫度,如下圖所示。
還有一些其他的熱阻參數(shù)如下:
ThetaJC=(Tj-Tc)/P,結(jié)到封裝外殼的熱阻,一般而言是到封裝頂部的熱阻,所以一般的,ThetaJC=ThetaJT
ThetaJB=(Tj-Tb)/P,結(jié)到PCB的熱阻。
ThetaJA參數(shù)綜合了Die的大小, 封裝方式,填充材料,封裝材料,引腳設(shè)計(jì),外部散熱片和外部電路板的屬性多個(gè)因素,綜合來講ThetaJA和用的器件以及PCB設(shè)計(jì)有關(guān)。ThetaJC和ThetaJB這2個(gè)參數(shù)是表征芯片和封裝本身的,不會(huì)隨著芯片封裝外部環(huán)境的改變而改變。
熱阻和以下幾個(gè)參數(shù)比較緊密相關(guān)。
Power dissipation:功率損耗,指的是NMOS消耗功率不能超過150mW,否則可能損壞MOS管。
Junction temperature:結(jié)溫,結(jié)面溫度,指的是NMOS最高結(jié)溫不能超過150℃。
Thermal resistance:如下的833℃/W指的是NMOS結(jié)面相對(duì)于環(huán)境溫度的熱阻是833℃/W,假如器件消耗的功率是1W,那溫升就是833℃。
當(dāng)NMOS工作在最大功率150mW,那NMOS結(jié)到空氣的溫度就是:150/1000*833≈125℃,芯片結(jié)溫就是125+25=150℃。
再看一下MOS管的電容。
輸入電容Ciss,指的是DS短接,用交流信號(hào)測(cè)得的GS之間的電容,Ciss由GS電容和GD電容并聯(lián)而成,即Ciss=Cgs+Cgd,當(dāng)輸入電容充電至閾值電壓,MOS管才打開,放電至一定的值,MOS管才關(guān)閉,所以Ciss和MOS管的開啟關(guān)閉時(shí)間有很大的關(guān)系。
輸出電容Coss,指的是GS短接,用交流信號(hào)測(cè)得的DS之間的電容,Coss由GD電容和DS電容并聯(lián)而成,即Coss=Cgd+Cds
反向傳輸電容Crss,指的是S接地,GD之間的電容,即Crss=Cgd
MOS管關(guān)閉下,Cgs要比Cgd大得多,Cgd=1.7pF,那Cgs=7.1-1.7=5.4pF。
從SPEC給的圖看,3個(gè)電容的大小和DS電壓有很大關(guān)系,尤其是Coss和Crss
有的一些MOS管SPEC中還有如下的Qg、Qgs、Ggd,指的是充滿這些電容所需要的電荷數(shù),所需要的充電電荷數(shù)越少,MOS管開關(guān)速度就越快。
MOS管關(guān)閉下,Cgs要比Cgd大的多,但是發(fā)現(xiàn)Qgd比Qgs大得多,這是受到米勒電容的影響。
結(jié)合一下圖片理解MOS管的開關(guān)時(shí)間。
最左邊綠色部分,ID和UD幾乎不變,因?yàn)檫@時(shí)候UGS沒有上升到閾值電壓,MOS管是關(guān)閉狀態(tài),把UGS從0增大到閾值電壓前這段時(shí)間叫Turn-on delay time。
緊接著紫色部分,當(dāng)UGS上升到閾值電壓后,隨著UGS再繼續(xù)增大,ID也逐漸增大,UD逐漸減小,直到ID到最大值,UD到最小值,這段時(shí)間叫Rise time。
同理,MOS管在關(guān)閉時(shí),UGS沒有下降到閾值電壓,ID和UD都是不變的,把UGS下降到閾值電壓前這段時(shí)間叫Turn-off delay time。
隨著UGS逐漸減小,ID減小到最小值,UD增大到最大值,這段時(shí)間叫Fall time。
那為什么要了解MOS管的電容和開關(guān)時(shí)間呢?當(dāng)MOS管用在對(duì)開關(guān)速度有要求的電路中,可能會(huì)因?yàn)镸OS管的開關(guān)時(shí)間過慢,導(dǎo)致通信失敗。
免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請(qǐng)電話或者郵箱聯(lián)系小編進(jìn)行侵刪。
特別推薦
- 增強(qiáng)視覺傳感器功能:3D圖像拼接算法幫助擴(kuò)大視場(chǎng)
- PNP 晶體管:特性和應(yīng)用
- 使用IO-Link收發(fā)器管理數(shù)據(jù)鏈路如何簡(jiǎn)化微控制器選擇
- 用好 DMA控制器這兩種模式 MCU效率大大提高!
- 深入分析帶耦合電感多相降壓轉(zhuǎn)換器的電壓紋波問題
- Honda(本田)與瑞薩簽署協(xié)議,共同開發(fā)用于軟件定義汽車的高性能SoC
- 第13講:超小型全SiC DIPIPM
技術(shù)文章更多>>
- 利用高性能電壓監(jiān)控器提高工業(yè)功能安全合規(guī)性——第1部分
- 芯耀輝:從傳統(tǒng)IP到IP2.0,AI時(shí)代國(guó)產(chǎn)IP機(jī)遇與挑戰(zhàn)齊飛
- 解決模擬輸入IEC系統(tǒng)保護(hù)問題
- 當(dāng)過壓持續(xù)較長(zhǎng)時(shí)間時(shí),使用開關(guān)浪涌抑制器
- 用于狀態(tài)監(jiān)測(cè)的振動(dòng)傳感器
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
精密電阻
精密工具
景佑能源
聚合物電容
君耀電子
開發(fā)工具
開關(guān)
開關(guān)電源
開關(guān)電源電路
開關(guān)二極管
開關(guān)三極管
科通
可變電容
可調(diào)電感
可控硅
空心線圈
控制變壓器
控制模塊
藍(lán)牙
藍(lán)牙4.0
藍(lán)牙模塊
浪涌保護(hù)器
雷度電子
鋰電池
利爾達(dá)
連接器
流量單位
漏電保護(hù)器
濾波電感
濾波器