現(xiàn)代寬禁帶功率器件(SiC, GaN)上的開關(guān)晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當大的挑戰(zhàn)，在某些情況下幾乎不可能實現(xiàn)。隔離探測技術(shù)的出現(xiàn)改變了這種局面，通過這一技術(shù)，設計人員終于能夠放心地測量以前回避的半橋和門驅(qū)動器波形。通過詳細了解相關(guān)挑戰(zhàn)，并使用適當?shù)奶綔y技術(shù)，電源工程師可以更加迅速、高效地表征和優(yōu)化其設計。

 

半橋電路(圖1)廣泛用于功率電子領域的多種應用，是現(xiàn)代設計中有效轉(zhuǎn)換電能使用的基本電路。但是，只有在半橋、門驅(qū)動器和布線正確且優(yōu)化設計時，這種電路的優(yōu)勢才能得到實現(xiàn)。在測量結(jié)果與預期結(jié)果不一致時，可能很難提取與被測器件有關(guān)的有意義的細節(jié)。更糟糕的是，基于探頭位置和其他因素，波形可能會明顯變化，最終會讓設計人員得不償失。

效率和功率密度要求經(jīng)常會隨著應用設計要求變化，如是否要優(yōu)化性能價格比。在功率密度中改善能效的要求，決定著設計的拓撲結(jié)構(gòu)，進而影響著要考慮的測量設備和技術(shù)。表1匯總了半橋和門驅(qū)動器最重要的指標和測量。

 

表1. 門驅(qū)動器和半橋配置最重要的測量。

 

準確進行功率測量離不開測量系統(tǒng)在多個方面的性能，包括電壓處理、共模抑制、連接能力、溫度處理能力、測量非常小的電流的能力。盡管功率設計要求日新月異，但測試測量技術(shù)的實際發(fā)展一直有些滯后。在某些情況下，設計人員不得已開發(fā)定制測量解決方案，或只能近似獲得部分測量，忽視可能的優(yōu)化。

 

在最基礎的層次上，這些測量使用示波器及一套相應的探頭執(zhí)行。在進行準確可靠的功率測量方面，示波器幾乎不成問題。而最大的挑戰(zhàn)是從測試點到示波器獲得信號。因此，選擇適當?shù)奶筋^完成工作至關(guān)重要，不管是無源探頭還是單端探頭，是傳統(tǒng)高壓差分探頭、電流探頭還是隔離探頭。

 

單端探頭 – 低壓側(cè)測量

 

大多數(shù)示波器都會配有一套無源或單端探頭。這些探頭只能準確地測量以示波器地電平為參考的信號，且限于進行低壓側(cè)測量。通過隔離示波器，或使用一對探頭進行偽差分測量（參見后面的討論），您可以使用無源探頭執(zhí)行高壓側(cè)測量，但一般不推薦采用這種方法。

 

在考慮某項測量任務需要多高的探頭性能時，人們一般會把重點放在帶寬上。傳統(tǒng)思維認為，帶寬越高，性能就越高。的確，帶寬是一個重要指標，它決定了可以測量正弦波峰峰值幅度的最高頻率。但實際上，您并不是在頻域中測量正弦波，而是要顯示和測量信號隨時間變化，也就是在時域中測量信號。

 

因此，半橋和門驅(qū)動器測量中最應關(guān)注的性能指標是上升時間。上升時間可以從帶寬中計算得出，但如果想可靠地了解測量系統(tǒng)的上升時間和全部時間響應，唯一的方式是使用階躍信號來實際測量上升時間，這個階躍信號要遠遠快于您測量的信號。

 

測量系統(tǒng)如果上升時間性能不足，那么就會出現(xiàn)階躍響應畸變，如圖2所示，包括非線性度、變圓和頂降。可能很難確認這些畸變是實際來自測量系統(tǒng)還是來自被測器件，只有通過表征測量系統(tǒng)才能找到真正答案。為避免這些測量誤差，選擇的探頭的上升時間一定要快于被測器件的上升時間。

 

圖2. 在功率器件測量精度中，上升時間指標要比帶寬指標更重要。

 

圖3顯示了快速探頭的意義，其中使用1 GHz無源探頭測量高速FET驅(qū)動器的低壓側(cè)，該驅(qū)動器的產(chǎn)品資料中顯示上升時間< 1 ns。由于這只探頭的上升時間指標在450 ps左右，所以我們能夠測量略高于500 ps的上升時間。如果進行這一測量時使用的探頭上升時間較慢，比如500 MHz探頭，那么波形前面拐角處的高頻成分會變圓。

 

圖3. 由于450 ps上升時間指標，1 GHz泰克TPP1000無源探頭能夠準確地測量高速FET。

 

測量門驅(qū)動器電流

 

在測量門驅(qū)動器電流時，許多設計人員使用外加電流分流器，而不是電流探頭，原因很簡單，因為使用電流探頭測量環(huán)路的電感會影響電路。通常來說，設計中在門驅(qū)動器和門之間會已經(jīng)串聯(lián)了一個電阻器。為使插入阻抗達到最小，電流分流器的阻值會保持得非常低，所以經(jīng)過電流分流器的電壓下跌也會非常低。通過先測得經(jīng)過電流分流器的電壓下跌值，然后再除以電阻器的已知電阻，可以得出電流。

 

把電流分流器連接到低壓側(cè)上，通常意味著一個端子接地。放在低壓側(cè)與放在高壓側(cè)的主要差異，是放在低壓側(cè)會降低或有效消除共模電壓，共模電壓會在電流分流器的任意一側(cè)同時同相出現(xiàn)。因此，一般推薦在低壓側(cè)放置電流分流器，特別是在高壓情況下。在高流應用中，接地彈跳會顯示為共模信號。

 

隔離示波器

 

打破接地環(huán)路的技術(shù)之一，是“隔離示波器”或隔離被測電路。浮地會打破與接地的連接，在理論上可以在兩個測試點之間進行差分測量，因為示波器接地已經(jīng)被破壞。這種方法本身就是危險的，因為它破壞了觸電保護，還可能會損壞測量設備。

 

浮動測試可能適用于某些測量，特別是在非常低的頻率上，但要注意如果沒有低阻抗接地連接，來自示波器的放射輻射和傳導輻射可能會以噪聲形式干擾測量。另外注意，在較高頻率中斷接地時，可能并不會中斷接地環(huán)路，因為“浮動”電路會一直通過大的寄生電容保持耦合接地，從而導致振鈴和波形失真。圖4顯示了高壓側(cè)門驅(qū)動器上的浮動測量。振鈴和失真很明顯，出現(xiàn)了高達28 V過沖。

 

圖4.在這個高壓側(cè)門驅(qū)動器浮動測量中，明顯有振鈴、失真和28 V過沖。

 

也可以使用偽差分測量（而不是無源探頭），可能滿足某些低頻信號測量。通過進行兩個地電平參考的信號測量，使用示波器對兩條示波器通道進行減法運算，可以完成測量。在圖5中，示波器從CH1的波形中減去CH2的波形，得到紅色波形。兩個輸入必須設置成相同的標度，探頭必須一模一樣且緊密匹配。這種技術(shù)中的共模抑制比(CMRR)很差，如圖5所示，特別是在更高頻率下，可能會超過示波器輸入范圍。CMRR是指示波器在進行差分測試時抑制兩個測試點的共模電壓的能力。

 

圖5. 偽差分測量性能有限，但對擁有低共模信號的超低頻信號測量足夠了。

 

差分探頭

 

對大多數(shù)GaN和SiC應用，差分探頭是準確進行低壓側(cè)測量和某些高壓側(cè)測量的很好選擇。但對性能更高的器件來說，最可能的情況是傳統(tǒng)高壓差分探頭并不是最佳選擇，因為其在更高的頻率下共模抑制能力不足。在執(zhí)行高壓側(cè)電壓測量時，這成為一個明顯的問題，因為要在快速開關(guān)跳變過程中，在存在大的共模電壓的情況下測量小的差分電壓。

 

一個常見的誤解是差分探頭是浮動的。其實，傳統(tǒng)差分探頭基于差分放大器，差分放大器則連接到接地上。遺憾的是，這種連接限制了共模電壓范圍，導致頻率額定值下降，產(chǎn)生接地彈跳，在帶寬超過一定MHz時會限制共模抑制比。

 

在測試通電的GaN或SiC器件時，這些局限性尤其明顯，因為這些器件擁有超快速開關(guān)速率，甚至有標稱的共模電壓。例如，100 MHz帶寬差分探頭在DC時提供了-70 dB CMRR，在1 MHz時提供了-50 dB CMRR，而在100 MHz時則下降到-27 dB CMRR，大約是22 : 1。

 

探頭產(chǎn)品技術(shù)資料中很難看到這么差的指標，因為額定值隨頻率下降不可能成為廠家推廣的指標。您需要翻查用戶手冊，才會找到像圖6這樣的示圖，但我們很容易就能計算出CMRR較差的影響。例如，對600 V共模電壓，得到的誤差是27 V (600除以22)。這種表現(xiàn)很扎眼，因為在存在600 V共模電壓時，使用誤差這么大的探頭是不可能準確測量高頻15 V差分信號的。

 

圖6. 100 MHz帶寬差分探頭在頻率提高時CMRR額定值下降到-27 dB。

 

在計算共模抑制時，另一個考慮因素是探頭和DUT之間的連接。大多數(shù)共模抑制指標只包括探頭，沒有考慮額外的連接選項，如大的掛勾夾。

 

由于缺乏足夠的探測配件，許多電源設計人員求助于某些替代技術(shù)來執(zhí)行高壓側(cè)器件測量，如先測量低壓側(cè)，使用全面仿真推導高壓側(cè)結(jié)果，考察發(fā)熱的特點、EMI接近式探測，如果這些方法都行不通，那么就只能試錯了。

 

高性能隔離探頭

 

SiC和GaN 功率器件擁有超快速開關(guān)速率和高標稱共模電壓，在測試這些器件時，單端探頭和差分探頭的局限性變得更加明顯。由于這些信號捕獲問題源于接地需求，因此可行的解決方案所采用的探頭技術(shù)不能依賴于接地，從而或多或少地不受共模電壓的影響。這種隔離探頭完全通過光纖運行，提供了大量的優(yōu)勢，包括高達1 GHz的帶寬、大的差分電壓范圍、在所有頻率中提供了完美的共模抑制能力。

 

在執(zhí)行高壓側(cè)VGS測量時，工程師需要查看足夠的波形細節(jié)，來確認仿真，評估信號特點，如與圖7中表示的理想狀態(tài)相比產(chǎn)生的振鈴。高壓側(cè)VGS打開，第一個區(qū)域表示CGS門源充電時間，后面是米勒平臺。在通道進行傳導后，門將充電到最終值。

 

圖7. 這是高壓側(cè)VGS理想狀態(tài)的示意圖。

 

圖8比較了使用傳統(tǒng)高壓差分探頭與使用高性能隔離探頭進行高壓側(cè)VGS測量，明顯可以看出，在傳統(tǒng)探頭提供的測量基礎上，很難提取有意義的信息，制訂設計決策。

 

圖8. 隔離高壓差分探頭提供了優(yōu)化器件性能所需的信心。

 

相比之下，隔離高壓測量系統(tǒng)為測量、表征和優(yōu)化設計性能提供了所需的分辨率和可重復性?？梢悦黠@看出米勒平臺及開關(guān)到節(jié)點轉(zhuǎn)換的關(guān)聯(lián)。這個波形清楚地顯示了以前隱藏的諧振和信號細節(jié)，從而為優(yōu)化性能、開發(fā)設計而又不會過于保守提供了所需的信心。

 

高壓側(cè)，低壓側(cè)交互

 

對容差緊張的GaN器件，開關(guān)節(jié)點中低壓側(cè)開關(guān)與高壓側(cè)門極之間的寄生耦合，是診斷起來比較困難的問題之一。圖9顯示了來自高壓側(cè)的過沖或振鈴傳遞到低壓側(cè)的情況。如果不能執(zhí)行準確的高壓側(cè)測量，這種情況是無從知曉的，其會產(chǎn)生大量的問題，至少會導致開關(guān)和效率損耗和劣化，最壞情況是低壓側(cè)和高壓側(cè)開關(guān)同時打開導致災難性的故障。

 

圖9. 能夠查看實際波形，使得診斷和解決開關(guān)節(jié)點之間的寄生耦合等問題成為可能。

 

小結(jié)

 

可以肯定地說，半橋和門驅(qū)動器測量面臨著諸多挑戰(zhàn)，必須克服這些挑戰(zhàn)，才能全面利用最新寬禁帶器件的優(yōu)勢。這要求正確的測量技術(shù)和強大的測量解決方案。通常來說，問題的根源不在于示波器，而在于探頭的選擇上。高壓側(cè)門測量尤其困難，但通過了解共模抑制比，及隔離高壓差分探頭在存在高共模電壓情況下可以怎樣實現(xiàn)精確可靠地測量，許多相關(guān)挑戰(zhàn)都能迎刃而解。

 

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(來源：泰克科技公司，作者：泰克科技公司，WilsonLee)