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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析——下
IGBT是大家常用的開關功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊,對手冊中的一些關鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理地使用IGBT。
2023-08-14
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IGBT如何選擇,你真的了解嗎?
最近,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體的應用日益增多,受到廣泛關注。然而,在這些新技術出現(xiàn)之前,許多高功率應用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT),事實上,許多此類應用仍然適合繼續(xù)使用 IGBT。在本文中,我們介紹 IGBT 器件的結(jié)構(gòu)和運行,并列舉多種不同 IGBT 應用的電路拓撲結(jié)構(gòu),然后探討這種多用途可靠技術的新興拓撲結(jié)構(gòu)。
2023-08-04
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使用SiC MOSFET和Si IGBT柵極驅(qū)動優(yōu)化電源系統(tǒng)
在電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 系統(tǒng)等綠色能源應用所需的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電器、電機驅(qū)動器和交流 (AC) 逆變器中,碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是關鍵元件。但是如要獲得最高的效率,SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導通和關斷時需要精確的驅(qū)動電壓(具體取決于所使用的器件)。
2023-08-03
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基于模型設計提高車規(guī)級芯片功能安全設計效率
在汽車電氣化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化快速發(fā)展的今天,汽車所用的芯片數(shù)量與種類也日益增多。電氣化引領了汽車電子電氣架構(gòu)的革新,催生出域控制器等集中式大算力芯片和 IGBT 等功率芯片。智能化則引入了多種類的傳感器和 AI 應用,帶動了雷達、激光雷達、攝像頭、智能座艙、5G 車聯(lián)網(wǎng)等模組、處理器、存儲芯片、以及 AI 計算芯片的發(fā)展。
2023-07-28
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動器使用指南
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異,以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅(qū)動條件對它的影響,作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分,還將提供 NCP51705(用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器)的使用指南。本文為第三部分,將重點介紹NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動器的使用指南。
2023-07-26
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深度剖析IGBT柵極驅(qū)動注意事項
IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點,并且有三個端子:一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅(qū)動而言,該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。
2023-07-20
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具有更高效率與優(yōu)勢的碳化硅技術
碳化硅(SiC)技術具有比傳統(tǒng)的硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等技術具有更多優(yōu)勢,包括更高的開關頻率,更低的工作溫度,更高的電流和電壓容量,以及更低的損耗,進而可以實現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統(tǒng)(ESS)上的應用,以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。
2023-07-19
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了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管(IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種三端功率半導體器件,主要用作電子開關,在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管,將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結(jié)合。IGBT用于中到大功率應用,如開關電源、牽引電機控制和感應加熱。
2023-07-18
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導體器件感到興奮,但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時候都更加重要。在我們10月份發(fā)布的電動汽車電力電子報告[2]中,TechInsights預測,xEV輕型汽車動力總成的產(chǎn)量將從2020年的910萬增長到2026年的4310萬,這使得其復合年增長率(CAGR)達到25%。SiC MOSFET目前預計占市場的約26%,到2029年預計將占市場份額的50%。
2023-07-16
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及,因為它最初的一些可靠性問題已得到解決,并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多,必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異,以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅(qū)動條件對它的影響,作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分,還將提供 NCP51705(用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器)的使用指南。本文為第一部分,將重點介紹安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的靜態(tài)特性。
2023-07-13
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針對電動馬達控制,在指定絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 時的考慮
針對所有的應用,人們越來越注意電動馬達的運作效率;因此,對高效率驅(qū)動器的需求變得日益重要。此外,使用馬達驅(qū)動的設計,例如電動馬達、泵和風扇,需要降低整體成本,且需要減低這些電動馬達應用中的能耗;因此,為電動馬達及其的驅(qū)動指定高效率的設計,以適合每項特定應用變得更加重要。
2023-06-28
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1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓撲中的應用
英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列單管具有兩種電壓等級(650V&1200V)和三個系列(T7,S7,H7)。其中,H7系列單管針對光儲、UPS、EV charger、焊機等應用進行了專門的優(yōu)化,并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開關損耗、導通損耗和豐富的產(chǎn)品系列,H7單管正在成為光伏和儲能應用的新星。
2023-06-26
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