事實上，包含在放大器內的靜電放電(ESD)二極管、輸入結構和其它非線性元件會在放大器的輸入端對RF信號進行“整流”。實際上，RF信號被轉換成一種直流(DC)偏移電壓，這種DC偏移電壓添加了放大器輸入偏移電壓。

 

工程師也許會問：“對于由給定RF信號產生的DC偏移電壓，我如何確定其幅度?”其實，放大器對RF干擾的敏感性取決于該放大器所采用的設計和技術。例如，許多現代放大器具有內置的RF濾波器，可盡量減少出現該問題的幾率。該濾波器對低增益帶寬運放而言是最有效的，因為該濾波器的截止頻率可以設置成較低的頻率，這能提供更高的RF信號衰減系數。除此之外，一些技術產品具有更強的內在抗RF干擾能力。例如，比起雙極型器件，大多數互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件具有更強的抗RF干擾能力。輸入級設計等其它因素也可影響抗RF干擾能力。

 

考慮到所有這些因素，電路板和系統(tǒng)級設計人員應如何選擇放大器呢?答案是：要看電磁干擾抑制比(EMIRR)。該技術指標類似于電源抑制比和共模抑制比，因為它在放大器的輸入端將RF干擾的影響轉換成DC偏移電壓。作為一個例子，圖1展示了OPA333的EMIRR曲線。從曲線可注意到，當頻率為1000MHz時該運放具有120dB的EMIRR。這是非常高的抑制水平，使得直接把該曲線與其它器件的曲線進行比較成為可能。

 

使用OPA333時EMIRR IN + 與頻率相比較的例子

 

EMIRR曲線展示了運放被傳導的抗RF信號(該信號被應用到非反相輸入端)干擾能力的測定值。術語“被傳導”是指該RF信號被直接應用到使用阻抗匹配型印刷電路板(PCB)的運放輸入端。此外，還對放大器輸入端的反射進行了表征和說明。

 

最后，用數字萬用表測量由RF信號產生的DC偏移電壓。請注意，在放大器和萬用表之間使用了低通濾波器，以防止由穿過放大器的殘余RF信號引起的潛在錯誤。圖2展示了用于表征EMIRR的測試電路。

 

 

用于表征EMIRR的測試電路

 

方程式(1)和(2)給出了EMIRR的數學定義。兩個方程式互為彼此的重置版本。方程式(1)展示了所用RF信號和偏移電壓的改變之間的關系。請注意所用RF信號的平方引起的偏移電壓變化。這意味著入射RF信號較小幅度的增加可導致偏移電壓的顯著增加。還請注意，術語EMIRR的作用是減弱RF信號的影響;換句話說，較大的EMIRR(dB)可使偏移電壓的變化大幅度減少。方程式(2)是在表征過程中用來計算EMIRR(dB)的方程形式。

 

 

其中,EMIRR(dB) —— 從被傳導的RF信號處測定的電磁干擾抑制比(以dB為單位)被應用到非反相放大器的輸入端

 

|△Vos| —— 是測定的偏移電壓(由RF干擾引起)變化

 

VRF_PEAK —— 是應用到放大器非反相輸入端的峰值RF干擾

 

最后，請注意許多其它因素，如PCB布局和屏蔽，也可影響用戶系統(tǒng)的抗RF干擾能力。不過，一旦在用戶的設計中優(yōu)化了這些因素，使用具有良好EMIRR的放大器就可實現最佳性能。而且，用戶無需進行任何復雜的計算。僅比較不同放大器的EMIRR曲線即可選擇最適合用戶應用的器件。筆者希望用戶能利用EMIRR規(guī)范來優(yōu)化用戶系統(tǒng)抗RF信號干擾的能力。


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