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封裝面積減小4成,支持LTE的RF模塊

發(fā)布時(shí)間:2012-10-24 責(zé)任編輯:easonxu

【導(dǎo)讀】村田制作所開發(fā)出用于LTE智能手機(jī)的小型RF收發(fā)模塊,封裝面積減小4成,其采用該公司的元件內(nèi)置技術(shù),使用樹脂基板而非陶瓷基板實(shí)現(xiàn)了模塊,該模塊集成了LTE收發(fā)信息所需要的RF收發(fā)器IC、功率放大器及前端模塊等,RF電路部分的定位是“全模塊”。


村田制作所試制出支持LTE的RF模塊,新型模塊的投產(chǎn)時(shí)間未定,村田制作所表示,“此次制作試制品的目的是為了表明技術(shù)上完全可行”。 此次開發(fā)的RF模塊中,RF收發(fā)器IC采用了富士通半導(dǎo)體生產(chǎn)的支持LTE的產(chǎn)品“MB86L10E”。為了支持LTE和W-CDMA使用的頻帶Band1/5/21和GSM使用的850MHz/900MHz/1800MHz/1900MHz,嵌入了支持各頻帶的功率放大器模塊。雖然嵌入了上述各部件,但模塊的外形尺寸僅有14.5mm×10.3mm×3.0mm,比不采用元件內(nèi)置技術(shù)時(shí)的封裝面積減小了40%左右。雖然厚度還高達(dá)3mm,不過村田制作所表示“通過結(jié)合使用其他封裝技術(shù),還有可能進(jìn)一步減薄”。

村田制作所在展區(qū)內(nèi)演示了該模塊的實(shí)際工作情況,并公布了波形等。在LTE模式下,發(fā)送功率為23dBm時(shí),ACLR(相鄰頻道泄露比)平均為-37dB。

試制的RF“全模塊”
圖1:試制的RF“全模塊”
 
展板介紹
圖2:展板介紹

會(huì)場(chǎng)展位上展示了用測(cè)量?jī)x器觀測(cè)到的波形
圖3:會(huì)場(chǎng)展位上展示了用測(cè)量?jī)x器觀測(cè)到的波形
 

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