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HOMSEMI MOSFET在高性能無(wú)葉風(fēng)扇方案中的應(yīng)用和評(píng)測(cè)

發(fā)布時(shí)間:2012-02-16 來(lái)源:成啟半導(dǎo)體

中心議題:

  • HOMSEMI MOSFET在無(wú)葉風(fēng)扇方案中的應(yīng)用和評(píng)測(cè)


本方案選用高性能的ST系列MCU,采用無(wú)級(jí)變速調(diào)節(jié)風(fēng)機(jī),配合紅外遙控,操作簡(jiǎn)單、快捷、方便。MCU發(fā)送過(guò)來(lái)的PWM脈沖指令傳輸?shù)綄iT匹配的成啟半導(dǎo)體(HOMSEMI)功率MOSFET HS2N60IB,驅(qū)動(dòng)無(wú)刷直流電機(jī),最高轉(zhuǎn)速可達(dá)到10000r/min.成啟半導(dǎo)體(HOMSEMI)功率MOSFET HS2N60IB極低的Qgs和Rds(ON),配合重量輕效率高的無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī),使產(chǎn)品更加節(jié)能環(huán)保,增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性及大幅度降低了生產(chǎn)成本。

無(wú)葉風(fēng)扇也叫空氣增倍機(jī),于2009年底首度推出。這項(xiàng)發(fā)明靈感于空氣葉片干手器—其原理是迫使空氣通過(guò)一個(gè)小口來(lái)刷干手上的水。無(wú)葉風(fēng)扇是讓空氣從一個(gè)1.3MM寬的圓環(huán)切口里吹出來(lái),由于空氣是被強(qiáng)制從這一個(gè)圓圈里吹出來(lái),所以通過(guò)的空氣量可以增加到15倍,時(shí)速可增至35公里。


方案中無(wú)刷直流電機(jī)(BLDCM)輸入(110V/220V)交流電,經(jīng)轉(zhuǎn)換器(converter)轉(zhuǎn)成直流,要轉(zhuǎn)入電機(jī)線圈前須先將直流電壓由換流器(inverter)轉(zhuǎn)成3相電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)。換流器(inverter)由6個(gè)功率MOSFET(VT1~VT6)分為上臂(VT1、VT3、VT5)/下臂(VT2、VT4、VT6)連接電機(jī)作為控制流經(jīng)電機(jī)線圈的開關(guān)。MCU提供PWM(脈沖寬度調(diào)制)決定功率MOSFET HS2N60IB開關(guān)頻度及換流器(inverter)換相的時(shí)機(jī)。

一.控制器原理框圖:

1. VT1-VT6是成啟半導(dǎo)體(HOMSEMI)功率MOSFET HS2N60IB.
2. PMSM代表是無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)也可以是永磁同步電動(dòng)機(jī)。
3. 驅(qū)動(dòng)控制器就是單片機(jī)可以是8位或是32位單片機(jī)。
4. 電源輸入兼容115VAC或230VAC. 在控制板上跳線選擇。
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二.原理圖


三.MOSFET輸出波形圖


該系列無(wú)葉風(fēng)扇方案,采用體積小效率高的無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī),主控芯片使用STM8系列MCU,并配合成啟半導(dǎo)體(HOMSEMI)半導(dǎo)體專門匹配的功率MOSFET HS2N60IB,啟動(dòng)更平穩(wěn),噪音更小,以達(dá)到性價(jià)比的最優(yōu)化。

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