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飛兆半導(dǎo)體推出新一代超級(jí)結(jié)MOSFET-SupreMOS

發(fā)布時(shí)間:2009-08-28

產(chǎn)品特性:
  • 兼具低RDS (ON) 和低總柵極電荷
  • 品質(zhì)因數(shù)降低了40%
  • 最佳的反向恢復(fù)特性di/dt和dv/dt
  • 開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗減少20%
  • 擊穿電壓范圍(-500V 至1000V)
應(yīng)用范圍:
  • 電源、照明、顯示和工業(yè)應(yīng)用
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)SupreMOS™新一代600V超級(jí)結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N,以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。SupreMOS™系列器件兼具低RDS (ON) 和低總柵極電荷,相比飛兆半導(dǎo)體的600V SuperFET™ MOSFET,品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit, FOM,即 RDS (ON) × Qgd )降低了40%。SupreMOS™器件具有業(yè)界最佳的反向恢復(fù)特性di/dt和dv/dt,可以提高開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中諧振轉(zhuǎn)換器、LLC和移相(phase-shifted)全橋拓?fù)涞目煽啃浴?br />
相比SuperFET™ MOSFET器件,SupreMOS™600V超級(jí)結(jié)MOSFET在相同RDS(ON)下提供了更低的柵級(jí)電荷,并且具有出色的開(kāi)關(guān)性能,能夠?qū)㈤_(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗減少20%,從而提高效率。另外,SupreMOS™器件具有較低的輸入和輸出電容,能夠提高輕負(fù)載條件下的效率。這些特性可讓電源滿足能源之星規(guī)范中適用于臺(tái)式電腦的80 PLUS 金(Gold) 級(jí)別和用于服務(wù)器的白金(Platinum)級(jí)別的要求。

SupreMOS™器件是飛兆半導(dǎo)體全面之MOSFET產(chǎn)品系列的一部分,為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)寬闊的擊穿電壓范圍(-500V 至1000V)、先進(jìn)封裝和業(yè)界領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)(FOM),為各種電能轉(zhuǎn)換環(huán)境提供所需的高效功率管理功能。



價(jià)格(訂購(gòu)1000個(gè),每個(gè)):
FCP22N60N 1.60美元
FCPF22N60N 1.60美元
FCA22N60N 1.80美元
FCP16N60N 1.50美元
FCPF16N60NT 1.50美元

供貨: 現(xiàn)提供樣品
交貨期: 收到訂單后9至11周內(nèi)
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