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UWB芯片深入城市每一條“神經(jīng)末梢”!紐瑞芯“創(chuàng)芯版圖”再升級(jí),劍指數(shù)字中國(guó)時(shí)空基底
智能調(diào)度道路交通設(shè)施,絲滑應(yīng)對(duì)城市交通錯(cuò)峰問(wèn)題;車(chē)輛出場(chǎng)、進(jìn)高速自動(dòng)預(yù)約,還能按時(shí)長(zhǎng)、距離自動(dòng)支付;自駕車(chē)提前預(yù)約充電車(chē)位,讓車(chē)位提前等你;公共交通精準(zhǔn)卡點(diǎn)乘坐成為常態(tài);必經(jīng)之店的咖啡提前排好訂單、午餐排號(hào)早上就已提前預(yù)約就緒、晚餐食材提前預(yù)購(gòu)……
2024-09-04
UWB 芯片 創(chuàng)芯版圖 數(shù)字
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ADI的智能工廠專(zhuān)業(yè)知識(shí)助您選擇合適的IO-Link從站收發(fā)器
選擇IO-Link從站收發(fā)器時(shí),我們先要考慮該器件支持的連接器引腳功能的數(shù)量和類(lèi)型。有些智能工廠器件可能只需要一個(gè)C/Q引腳來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸/切換,MAX22514非常適合此類(lèi)任務(wù)。有些器件可能需要IO-Link連接,其中包括額外的數(shù)字輸入(DIN),以傳輸來(lái)自基本傳感器或按鈕開(kāi)關(guān)的信號(hào)。在這種情況下,MAX225...
2024-09-03
ADI 智能工廠 IO-Link 收發(fā)器
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如何“榨干”SiC器件潛能?這幾種封裝技術(shù)提供了參考范例
隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng),光儲(chǔ)充一體化市場(chǎng)為實(shí)現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢(shì)引領(lǐng)下,碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)生態(tài)正迅速發(fā)展,逐漸成為替代傳統(tǒng)硅基功率器件的有力市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)者。
2024-09-03
SiC器件 封裝技術(shù)
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音頻變壓器的詳細(xì)的知識(shí)
除了升高或降低信號(hào)電壓外,變壓器還具有另一個(gè)非常有用的特性,即隔離。由于變壓器的初級(jí)和次級(jí)繞組之間沒(méi)有直接的電氣連接,因此變壓器的輸入和輸出電路之間提供了完全的電氣隔離。連接在放大器和揚(yáng)聲器之間的音頻變壓器也可以利用這種隔離特性。
2024-09-03
音頻變壓器
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單級(jí)小信號(hào) RF 放大器設(shè)計(jì)
幾乎所有的電子電路都依賴(lài)于放大器,放大器電路會(huì)放大它們接收到的輸入信號(hào)?;镜姆糯笃麟娐酚呻p極結(jié)型晶體管組成,晶體管偏置使器件在有源區(qū)運(yùn)行。晶體管的有源區(qū)用于放大目的。當(dāng)晶體管偏置為有源區(qū)時(shí),施加在輸入端子上的輸入信號(hào)會(huì)使輸出電流出現(xiàn)波動(dòng)。波動(dòng)的輸出電流流過(guò)輸出電阻,產(chǎn)生經(jīng)過(guò)...
2024-09-02
單級(jí)小信號(hào) RF 放大器
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深入了解數(shù)字音頻接口TDM在軟硬件配置中的問(wèn)題
在 PCB 板內(nèi)的音頻設(shè)計(jì)時(shí),很多時(shí)候都是以模擬信號(hào)作為前后輸入輸出,但是板內(nèi)更多是以數(shù)字信號(hào)為主,例如我們可以看到各種 aux、同軸、蓮花口等信號(hào)輸入。只要音頻需要進(jìn)行處理,一般都是需要轉(zhuǎn)成數(shù)字信號(hào)來(lái)進(jìn)行的,比如當(dāng)我們?cè)谟?FPGA、DSP、單片機(jī)等系統(tǒng)時(shí)。大多數(shù)情況下,簡(jiǎn)單 2 通道的實(shí)現(xiàn)在...
2024-09-02
數(shù)字音頻 接口 TDM 軟硬件配置
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適用于電化學(xué)傳感器的運(yùn)算放大器
電化學(xué)氣體檢測(cè)元件需要恒定的偏置才能正常準(zhǔn)確地運(yùn)行,這可能會(huì)消耗大量功率。當(dāng)器件處于空閑或休眠模式時(shí),正常的 電源管理系統(tǒng)往往會(huì)試圖讓這些器件都保持關(guān)斷狀態(tài)。然而, 電化學(xué)傳感器需要數(shù)十分鐘甚至幾個(gè)小時(shí)才能穩(wěn)定下來(lái)。因 此,檢測(cè)元件及其偏置電路必須處于“始終接通”狀態(tài)。此 外,對(duì)于...
2024-08-30
電化學(xué)傳感器 運(yùn)算放大器
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雙色LED點(diǎn)陣顯示器行、列引腳的識(shí)別與檢測(cè)
雙色點(diǎn)陣顯示器有共陽(yáng)型和共陰型兩種類(lèi)型。圖13—20所示是8×8雙色點(diǎn)陣顯示器的電路結(jié)構(gòu),圖13—20(a)為共陽(yáng)型點(diǎn)陣顯示器,有8行16列,每行的16個(gè)LED(兩個(gè)LED組成一個(gè)發(fā)光點(diǎn))的正極接在一根行公共線上,有8根行公共線,每列的8個(gè)LED的負(fù)極接在一根列公共線上,共有16根列公共線,共陽(yáng)型點(diǎn)陣顯示器...
2024-08-30
雙色LED 點(diǎn)陣顯示器
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什么是IGBT的退飽和(desaturation)? 什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)?
這要從IGBT的平面結(jié)構(gòu)說(shuō)起。IGBT和MOSFET有類(lèi)似的器件結(jié)構(gòu),MOS中的漏極D相當(dāng)于IGBT的集電極C,而MOS的源極S相當(dāng)于IGBT的發(fā)射極E,二者都會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象。下圖所示是一個(gè)簡(jiǎn)化平面型IGBT剖面圖,以此來(lái)闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個(gè)大于閾值的正壓VGE,則柵極氧化層下方會(huì)出現(xiàn)強(qiáng)反型層,形成...
2024-08-30
IGBT 退飽和
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