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元器件的完整型號(hào)說(shuō)明和各國(guó)命名方法

發(fā)布時(shí)間:2018-09-26 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】不少公司的采購(gòu)會(huì)發(fā)現(xiàn),拿到工程師提供的BOM中的器件去采購(gòu)物料時(shí),經(jīng)常供應(yīng)商還會(huì)問(wèn)得更仔細(xì),否則就不知道供給你哪種物料,嚴(yán)重時(shí),采購(gòu)回來(lái)的物料用不了。為什么會(huì)有這種情況呢?問(wèn)題就在于,很多經(jīng)驗(yàn)不夠的工程師,沒(méi)有把器件型號(hào)寫(xiě)完整。下面舉例來(lái)說(shuō)明,完整的器件型號(hào)是怎么樣的。
 
完整的器件型號(hào),一般都是包括主體型號(hào)、前綴、后綴等組成。一般工程師只關(guān)心前綴和主體型號(hào),而會(huì)忽略后綴,甚至少數(shù)工程師連前綴都會(huì)忽略。當(dāng)然,并不是所有器件一定有前綴和后綴,但是,只要這個(gè)器件有前綴和后綴,就不可以忽略。
 
器件前綴一般是代表器件比較大的系列,比如邏輯IC中的74LS系列代表低功耗肖特基邏輯IC,74ASL系列代表先進(jìn)的低功耗肖特基邏輯IC,74ASL系列比74LS系列的性能更好。
 
又比如,2N5551三極管和MMBT5551三極管兩者封裝不同,一個(gè)是插件的(TO-92),一個(gè)是貼片的(SOT-23)。如果BOM上只寫(xiě)5551三極管,那肯定不知道是哪個(gè)。
 
忽略前綴的現(xiàn)象一般稍少一點(diǎn),但是忽略后綴的情況就比較多了。一般來(lái)說(shuō),后綴有以下這些用處:
 
1、 區(qū)分細(xì)節(jié)性能
 
比如,拿MAXIM公司的復(fù)位芯片MAX706來(lái)說(shuō),同樣是706,但是有幾種閥值電壓,比如MAX706S的閥值電壓為2.93V,MAX706T的閥值電壓為3.08V,這里的后綴“S”和“T”就代表不同的閥值電壓。
 
2、區(qū)分器件等級(jí)和工作溫度
 
比如TI公司的基準(zhǔn)電壓芯片TL431,TL431C代表器件的工作溫度是0度至70度(民用級(jí)),TL431I代表器件的工作溫度是-40度至85度(工業(yè)級(jí)),其中后綴“C”和“I”就代表不同的工作溫度。
 
3、區(qū)分器件封裝形式
 
比如TI公司的基準(zhǔn)電壓芯片TL431,TL431CP代表的是PDIP封裝,TL431CD代表的是SOIC封裝,其中后綴“P”和“D”代表的就是不同封裝(“C”代表溫度,在上面已經(jīng)解釋)。
 
4、區(qū)分訂貨包裝方式
 
比如,TI公司的基準(zhǔn)電壓芯片TL431 CD,如果要求是按盤(pán)裝(2500PCS/盤(pán))的采購(gòu),那么必須按TL431 CDR的型號(hào)下單,這里的后綴“R”代表的就是盤(pán)裝。否則,按TL431 CD下單,買(mǎi)回來(lái)的可能是管裝(75PCS/管)的物料。
 
5、區(qū)分有鉛和無(wú)鉛
 
比如,ON公司的比較器芯片LM393D(“D”表示是SOIC封裝),如果要用無(wú)鉛型號(hào),必須按LM393DG下單,這里的后綴“G”就表示無(wú)鉛型號(hào),沒(méi)這個(gè)后綴就是有鉛型號(hào)。
 
后綴可能還有其他特殊的用處,總之,后綴的信息不能省略,否則買(mǎi)回來(lái)的可能就不是你想要的物料。
 
不同的公司的前綴和后綴可能是不同的(也有少數(shù)公司的一些前綴后綴一致),這需要參考實(shí)際選用廠(chǎng)家的具體情況。
 
元器件的完整型號(hào)說(shuō)明和各國(guó)命名方法
 
各國(guó)半導(dǎo)體元器件型號(hào)的命名方法
 
一、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
 
半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分)組成。五個(gè)部分的意義分別如下:
 
第一部分:用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管
 
第二部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。
 
表示二極管時(shí):A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
 
表示三極管時(shí):A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
 
第三部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。
 
P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、
 
N-阻尼管、U-光電器件、K-開(kāi)關(guān)管、X-低頻小功率管(f <3MHz,Pc<1W)、
 
G-高頻小功率管(f >3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、
 
A-高頻大功率管(f >3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器)、
 
Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場(chǎng)效應(yīng)管、
 
BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
 
第四部分:用數(shù)字表示序號(hào)
 
第五部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管。
 
二、日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
 
日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,由五至七部分組成。
 
通常只用到前五個(gè)部分,其各部分的符號(hào)意義如下:
 
第一部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類(lèi)型。
 
0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、
 
1-二極管、
 
2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、
 
3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、
 
┄┄依此類(lèi)推。
 
第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。
 
S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。
 
第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類(lèi)型。
 
A-PNP型高頻管、
 
B-PNP型低頻管、
 
C-NPN型高頻管、
 
D-NPN型低頻管、
 
F-P控制極可控硅、
 
G-N控制極可控硅、
 
H-N基極單結(jié)晶體管、
 
J-P溝道場(chǎng)效應(yīng)管,如 2SJ—-
 
K-N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,如 2SK—-
 
M-雙向可控硅。
 
第四部分:用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào)。
 
兩位以上的整數(shù)-從“11”開(kāi)始,表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號(hào);
 
不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號(hào);數(shù)字越大,越是近期產(chǎn)品。
 
第五部分:用字母表示同一型號(hào)的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。
 
A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號(hào)產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。
 
三、美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
 
美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。
 
美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下:
 
第一部分:用符號(hào)表示器件用途的類(lèi)型。
 
JAN-軍級(jí)、
 
JANTX-特軍級(jí)、
 
JANTXV-超特軍級(jí)、
 
JANS-宇航級(jí)、
 
無(wú)—非軍用品。
 
第二部分:用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結(jié)器件、n-n個(gè)pn結(jié)器件。
 
第三部分:美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊(cè)標(biāo)志。
 
N-該器件已在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊(cè)登記。
 
第四部分:美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。
 
多位數(shù)字-該器件在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。
 
第五部分:用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號(hào)器件的不同檔別。如:
 
JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開(kāi)關(guān)三極管
 
JAN-軍級(jí)、
 
2-三極管、
 
N-EIA注冊(cè)標(biāo)志、
 
3251-EIA登記順序號(hào)、
 
A-2N3251A檔。
 
四、國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
 
德國(guó)、法國(guó)、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國(guó)家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國(guó)家,大都采用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法。
 
這種命名方法由四個(gè)基本部分組成,各部分的符號(hào)及意義如下:
 
第一部分:用字母表示器件使用的材料。
 
A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV如鍺、
 
B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、
 
C-器件使用材料的Eg >1.3eV如砷化鎵、
 
D-器件使用材料的Eg <0.6eV如銻化銦、
 
E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料。
 
第二部分:用字母表示器件的類(lèi)型及主要特征。
 
A-檢波開(kāi)關(guān)混頻二極管、
 
B-變?nèi)荻O管、
 
C-低頻小功率三極管、
 
D-低頻大功率三極管、
 
E-隧道二極管、
 
F-高頻小功率三極管、
 
G-復(fù)合器件及其他器件、
 
H-磁敏二極管、
 
K-開(kāi)放磁路中的霍爾元件、
 
L-高頻大功率三極管、
 
M-封閉磁路中的霍爾元件、
 
P-光敏器件、
 
Q-發(fā)光器件、
 
R-小功率晶閘管、
 
S-小功率開(kāi)關(guān)管、
 
T-大功率晶閘管、
 
U-大功率開(kāi)關(guān)管、
 
X-倍增二極管、
 
Y-整流二極管、
 
Z-穩(wěn)壓二極管。
 
第三部分:用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號(hào)。
 
三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)、 一個(gè)字母加二位數(shù)字-表示專(zhuān)用半導(dǎo)體器件的登記序號(hào)。
 
第四部分:用字母對(duì)同一類(lèi)型號(hào)器件進(jìn)行分檔。
 
A、B、C、D、E、、、表示同一型號(hào)的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。
 
除四個(gè)基本部分外,有時(shí)還加后綴,以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類(lèi)。常見(jiàn)后綴如下:
 
1、穩(wěn)壓二極管型號(hào)的后綴。其后綴的第一部分是一個(gè)字母,表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍,字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%; 其后綴第二部分是數(shù)字,表示標(biāo)稱(chēng)穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值; 后綴的第三部分是字母V,代小數(shù)點(diǎn), 字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱(chēng)穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。
 
2、整流二極管后綴是數(shù)字,表示器件的最大反向峰值耐壓值,單位是伏特。
 
3、晶閘管型號(hào)的后綴也是數(shù)字,
 
通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。 如:BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管,AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。
 
五、歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法
 
歐洲有些國(guó)家,如德國(guó)、荷蘭采用如下命名方法:
 
第一部分:O-表示半導(dǎo)體器件。
 
第二部分:A-二極管、C-三極管、 AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。
 
第三部分:多位數(shù)字-表示器件的登記序號(hào)。
 
第四部分:A、B、C、、、表示同一型號(hào)器件的變型產(chǎn)品。
 
文章來(lái)源:可靠性技術(shù)交流
 
 
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