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瑞薩600V耐壓超結(jié)MOSFET導(dǎo)通電阻僅為150mΩ

發(fā)布時(shí)間:2012-07-02

產(chǎn)品特性:
  • 導(dǎo)通電阻僅為150mΩ
  • 柵源間電壓為±30V
  • 額定漏電流為20A
適用范圍:
  • 空調(diào)等家電產(chǎn)品

瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ(柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值)的600V耐壓超結(jié)(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“RJL60S5系列”,將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓的情況下,降低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET的元件構(gòu)造。雖然其他競爭公司已經(jīng)推出了采用這種構(gòu)造的功率MOSFET,但據(jù)瑞薩電子介紹,“RJL60S5系列”在600V耐壓產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最小水平的導(dǎo)通電阻。馬達(dá)驅(qū)動電路和逆變器等采用RJL60S5系列功率MOSFET后,可以降低功耗,該產(chǎn)品主要面向空調(diào)等家電產(chǎn)品。

RJL60S5系列的柵源間電壓為±30V,額定漏電流為20A。漏源間電壓為25V時(shí),反饋電容為13pF(標(biāo)稱值)。柵源間閾值電壓的最小值為3V,最大值為5V。內(nèi)置快恢復(fù)二極管(FRD:Fast Recovery Diode),F(xiàn)RD的正向電壓為0.96V。該產(chǎn)品將FRD的反向恢復(fù)時(shí)間縮短至150ns,約相當(dāng)于瑞薩原來的SJ型功率MOSFET的約1/3,因此還可應(yīng)用于高速馬達(dá)驅(qū)動用途。

RJL60S5系列備有三種封裝的產(chǎn)品,分別是采用TO-220EP封裝的“RJL60S5DPP”,采用TO-3PSG封裝的“RJL60S5DPK”,以及采用LDPAK封裝的“RJL60S5DPE”。三款產(chǎn)品的樣品價(jià)格均為200日元,將從2012年12月開始量產(chǎn),量產(chǎn)規(guī)模方面,預(yù)定截至2013年3月達(dá)到月產(chǎn)50萬個(gè)。
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