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IR 推出為 D 類(lèi)應(yīng)用優(yōu)化的汽車(chē)用 DirectFET2 功率 MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2010-08-27

產(chǎn)品特性:

  • 改善了總諧波失真
  • 提高效率
  • 降低電磁干擾

應(yīng)用范圍:

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司(International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) ,今天宣布推出汽車(chē)用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列,適合D 類(lèi)音頻系統(tǒng)輸出級(jí)等高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件,拓展了 IR 適用于汽車(chē) D 類(lèi)音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營(yíng),并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化,來(lái)改善總諧波失真 (THD) 和提高效率,而低二極管反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 則進(jìn)一步改善了總諧波失真,降低了電磁干擾 (EMI) 。

AUIRF7640S2 和 AUIRF7647S2 小罐器件的封裝尺寸比 SO-8 小,更能夠?yàn)闆](méi)有散熱片的 8Ω 負(fù)載提供每通道 100W 的功率,由此可以提供非常緊湊的 D 類(lèi)解決方案,是節(jié)省多通道電路板空間的理想選擇。AUIRF7675M2 中罐器件的封裝尺寸比 DPak 小54% ,能夠?yàn)闆](méi)有散熱片的 4Ω 負(fù)載提供每通道 250W 的功率,使其非常適合 D 類(lèi)音頻系統(tǒng)的亞低音輸出級(jí)。

IR 亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示:“新款 DirectFET®2 器件是對(duì)之前推出的 AUIRF7665S2 的補(bǔ)充,為設(shè)計(jì)師提供了適用 D 類(lèi)音頻系統(tǒng)不同功率等級(jí)的替代額定電壓和導(dǎo)通電阻。”

正如所有的 DirectFET® 產(chǎn)品一樣,新器件提供了最小的熱阻抗以及寄生電阻和電感,能夠提供出色的功率密度和雙面冷卻效率。

新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),是在IR要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念下研制而成的,所采用的環(huán)保材料既不含鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。


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