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Vishay Siliconix推出新款ThunderFET?功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2010-07-13

產(chǎn)品特性:

  • 采用針對(duì)更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)
  • 在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下額定導(dǎo)通電阻為8.5mΩ的80V MOSFET
  • 符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定,符合RoHS指令2002/95/EC

應(yīng)用范圍:

  • 更高電壓器件的優(yōu)化

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用針對(duì)更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下就能導(dǎo)通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強(qiáng)型PowerPAK® SO-8封裝,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5m?、6.7m?和5.9m?的超低導(dǎo)通電阻。在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下,該器件的典型導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積為161,該數(shù)值是DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM,單位是nC-mΩ)。

SiR880DP針對(duì)通信負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器中初級(jí)側(cè)開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化。非常低的導(dǎo)通電阻意味著可減少功率損耗和實(shí)現(xiàn)更綠色的解決方案,尤其是在待機(jī)模式這樣的輕負(fù)載條件下。

器件的4.5V電壓等級(jí)有助于實(shí)現(xiàn)更高頻率的設(shè)計(jì),在POL應(yīng)用中大幅降低柵極驅(qū)動(dòng)損耗,并且可以使用電壓更低、成本更低的5V PWM IC。截止目前,其他80V功率MOSFET還只能在6V或更高的柵極驅(qū)動(dòng)下才能導(dǎo)通。

SiR880DP經(jīng)過(guò)了完備的Rg和UIS測(cè)試。這款采用PowerPAK SO-8封裝的MOSFET符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定,符合RoHS指令2002/95/EC。

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