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ST發(fā)布高性能功率封裝 可提高M(jìn)Dmesh V功率密度

發(fā)布時(shí)間:2010-05-12 來(lái)源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

STL21N65M5產(chǎn)品特性:
  • 將提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度
  • 尺寸僅為8x8mm
應(yīng)用范圍:
  • 功率MOSFET
     

功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝,這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。

在一個(gè)尺寸僅為8x8mm的無(wú)引腳封裝外殼內(nèi),全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小的裸片,并提供一個(gè)裸露的金屬漏極焊盤(pán),有效排除內(nèi)部產(chǎn)生的熱量。薄型封裝將使設(shè)計(jì)人員能夠設(shè)計(jì)更薄的電源外殼,為當(dāng)今市場(chǎng)提供緊湊時(shí)尚的新產(chǎn)品。客戶(hù)可從兩個(gè)公司獲得這款新的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品:意法半導(dǎo)體和英飛凌(Infineon Technologies)均將推出采用這個(gè)創(chuàng)新封裝的MOSFET晶體管,意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品名稱(chēng)是PowerFLAT™ 8x8 HV,英飛凌的產(chǎn)品名稱(chēng)是ThinPAK 8x8,從而為客戶(hù)提供高品質(zhì)雙貨源供貨。

新封裝的纖薄外形和優(yōu)異的散熱性能,結(jié)合意法半導(dǎo)體MDmesh V技術(shù)的無(wú)與倫比的超低單位裸片面積導(dǎo)通電阻RDS(ON) ,可大幅提高功率器件的功率密度和可靠性,節(jié)省印刷電路板空間。意法半導(dǎo)體將在現(xiàn)有的MDmesh V 產(chǎn)品陣容內(nèi)加入PowerFLAT 8x8 HV封裝的MOSFET,目前已發(fā)布該系列首款產(chǎn)品:650V STL21N65M5。

意法半導(dǎo)體功率晶體管產(chǎn)品部市場(chǎng)總監(jiān)Maurizio Giudice表示:“我們與英飛凌的合作卓有成效,已開(kāi)發(fā)出一項(xiàng)高性能封裝技術(shù),我們的客戶(hù)可以獲得尖端的應(yīng)用設(shè)計(jì)和全球兩大功率半導(dǎo)體廠商支持的芯片封裝。這項(xiàng)具有突破性的封裝技術(shù)結(jié)合意法半導(dǎo)體獨(dú)有的業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的MDmesh V制程,我們的全新MOSFET將提供相同額定電壓產(chǎn)品中最高的功率密度和能效。”

STL21N65M5的主要特性:
  • RDS(ON):0.190?
  • 最大額定輸出電流 (ID):17A
  • 結(jié)到外殼熱阻率(Rthj-c):1.0 ºC/W
采用PowerFLAT 8x8 HV封裝的STL21N65M5現(xiàn)已提供樣片,量產(chǎn)定于2010年7月。

關(guān)于意法半導(dǎo)體的MDmesh™ V技術(shù):

MDmesh V是意法半導(dǎo)體的新一代多漏極網(wǎng)格技術(shù),該項(xiàng)技術(shù)可最大限度地降低導(dǎo)通損耗,同時(shí)不會(huì)對(duì)開(kāi)關(guān)性能產(chǎn)生很大的影響。采用這項(xiàng)技術(shù)的MOSFET能夠讓設(shè)計(jì)人員符合對(duì)電子產(chǎn)品能效有更高要求的環(huán)保設(shè)計(jì)法規(guī),還能讓他們有機(jī)會(huì)在再生能源等新興產(chǎn)業(yè)中尋找市場(chǎng)機(jī)遇,因?yàn)樵谌虬l(fā)展新興產(chǎn)業(yè)的浪潮中,最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗是降低每瓦成本的關(guān)鍵所在。

MDmesh V架構(gòu)改進(jìn)了晶體管的漏極結(jié)構(gòu),可有效降低漏源電壓降,結(jié)果,裸片單位面積的導(dǎo)通電阻非常低,尺寸小的器件也能取得超低的通態(tài)損耗。事實(shí)上,在采用TO-220標(biāo)準(zhǔn)封裝的650V MOSFET產(chǎn)品中,MDmesh V取得了世界最低的 RDS(ON) 記錄。

MDmesh V 器件的柵電荷量(Qg)也很低,在高速開(kāi)關(guān)時(shí)能效優(yōu)異,RDS(ON) x Qg 性能因數(shù) (FOM)很小。新產(chǎn)品650V的擊穿電壓高于競(jìng)爭(zhēng)品牌的600V產(chǎn)品的擊穿電壓,為設(shè)計(jì)工程師提供了十分寶貴的安全裕量。這些器件的 Vdss額定擊穿電壓很高,具有出色的耐dV/dt斜率能力,并100%經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試。另一項(xiàng)優(yōu)勢(shì)是,整齊的關(guān)斷波形有助于簡(jiǎn)化柵極控制,降低對(duì)EMI濾波的要求。

現(xiàn)已上市的MDmesh V技術(shù)產(chǎn)品采用各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,包括TO-220、TO-220FP、I2PAK、TO-247和Max247。
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