【導讀】最近，小編正為設計的一款電源輻射干擾超標20db抓耳撓腮，廢寢忘食。遂決定找度娘看能否找到解決之道，神游之際，看見電子元件技術網的“每周一問”正打得熱火朝天，說不定能解決我的問題，抱著一試的態(tài)度進去溜了一圈，還真是不負眾望，居然得到了陶顯芳老師親傳絕學，簡直大豐收啊。下面就來看看陶顯芳陶大師是如何教我三招定乾坤的，不看你會后悔哦！
第一招：在所有的整流二極管的一端串聯(lián)一小磁珠
在所有的整流二極管的一端串聯(lián)小磁珠，相當于在整流濾波回路中串聯(lián)一個高頻小電感，這樣可以降低整流濾波回路的電流上升率（di/dt），對降低輻射干擾有好處，因為干擾信號（磁場干擾）與電流上升率成正比，還與產生干擾磁場的電流回路的面積成正比：
（1）
式中：e為感應電動勢（干擾信號），Φ為干擾磁場產生的磁通，dΦ/dt為磁通變化率；S為產生干擾磁場電流回路的面積，為B為干擾磁場產生的磁通的密度，dB/dt為磁通密度變化率；L為分布電感，即，產生干擾磁場電流回路的分布電感，i為流過產生干擾磁場電流回路（整流濾波回路）的電流，di/dt為電流變化率。
在（1）式中，磁通Φ和磁通的密度B以及分布電感L，雖然單位（或概念）不同，但它們互相之間是對應的。例如，電感L（磁感應系數）為單位電流產生的磁通Φ，而Φ又等于磁通密度B與面積S的乘積。由此可知，改變di/dt為電流變化率就是間接地改變磁通變化率dΦ/dt，從而改變感應電動勢e的大小；同樣，改變電流回路的面積S，亦可以改變感應電動勢e的大小，因此，在進行電路設計時，減小電流回路的面積S是降低輻射干擾最有效和最簡單的方法。
在所有的整流二極管的一端串聯(lián)小磁珠，降低整流濾波回路電流上升率（di/dt）的原理，還可以用圖1來分析。
圖1-(a)為開關電源整流電路原理圖，圖1-(b)為在整流二極管的一端串聯(lián)小磁珠的開關電源整流電路等效原理圖
波形A為開關電源整流濾波電路各點的輸出電壓，Ui為開關變壓器次級線圈輸出波形的半波平均值、Uo為輸出電壓的平均值，斜線為濾波電容器兩端的紋波電壓；波形B為輸出電壓的紋波，紅線為電容充電，藍線為放電；波形C和圖-E分別為未加磁珠前和加磁珠后，流過整流二極管的電流（紅線），和濾波電容放電的電流（藍線）。
第二招：在開關管的控制極串聯(lián)一電阻，并在控制極并一50p的電容到地
在開關管的控制極串聯(lián)一電阻，并在控制極并一50p的電容到地，其主要作用也是為了降低開關管導通或關斷期間的電壓上升率dv/dt和電流上升率di/dt，從而達到降低電磁場輻射強度的目的。
輻射干擾分電場輻射干擾EI（Electro Interference）和磁場輻射干擾MI（magnetic Interference）。電場和磁場分別是兩種性質不同，可攜帶能量的介質，它們的分布，充滿整個宇宙空間，并且兩者之間的能量可以互相轉換；當某處電磁場的位能產生變化時，整個宇宙空間中的電磁場都需要重新進行分布，并以每秒鐘30萬公里的速度在真空中進行傳播，因此，電、磁干擾無處不在。
產生電場干擾的基本原因是帶電物體的電荷在重新進行分布，相當于分布電容在不斷進行充放電；產生磁場干擾的基本原因是流過導體中的電流大小和方向在不斷改變，相當于分布電感產生的磁通的大小和方向在不斷變化。
電磁干擾的本質就是電感應（電場感應）和磁感應（磁場感應），與電感應相關的是分布電容，而與磁感應相關的是分布電感。
在帶電導體的周圍空間會散發(fā)出電場，并使周圍的導體感應帶電；當載流體中有電流流過時，在其周圍就會產生磁場，交變磁場會使周圍的電路產生感應電動勢。電磁場是一種具有能量的物質，它們在真空中以每秒30萬公里的速度向整個宇宙空間輻射它在真空中以每秒30萬公里的速度向整個宇宙空間輻射，并且它們在傳播過程中互相可以轉換。
帶電物體在原理上相當于一個分布電容，互相被感應帶電的物體就相當于電容器的兩個極，而電容C就相當于兩個帶電物體互相產生電場感應的系數；同理，載流體在原理上相當于一個分布電感，互相被感應產生電動勢的載流體就相當于變壓器的兩個線圈。——這里要注意電容C（電場感應系數）與電容器的區(qū)別；同理，大家也要注意互感M與電感L（磁感應系數，自感）的區(qū)別，兩者在本質上是不一樣的。
兩根相鄰導體，當其中一根導體中有電流流過時，通過電磁感應，在另一導體中就會產生感應電動勢，并產生感應電流，感應電流也可以叫位移電流，因為，無論被感應導體是否夠成電流回路、開路或短路，在交變磁場的感應下，在導體中總有位移電流在流動。位移電流的方向正好與感應導體中電流的方向相反，其產生磁場的方向也正好與感應導體電流產生的磁場方向相反。
因此，位移電流的大小就取決于兩導體互相被干擾的程度。如果用位移電流來表示電場感應產生的干擾，則有：
（2）
式中：i為流過導體（被干擾導體）的位移電流（或充放電電流），C為兩導體之間的分布電容（電場感應的系數），dv/dt為載電導體的電位變化率。
在電磁輻射中，電場輻射干擾和磁場輻射干擾是同時存在的，因此，在開關管的控制極串聯(lián)一電阻，并在控制極并一50p的電容到地，實際上就是用來降低開關管導通或關斷期間的電壓上升率dv/dt和電流上升率di/dt，從而達到降低電磁場輻射強度的目的。
在實際應用中，用降低開關管導通或關斷期間的電壓上升率dv/dt和電流上升率di/dt，來降低輻射干擾的方法，往往是不可取的，因為降低開關管導通或關斷期間的電壓上升率dv/dt和電流上升率di/dt，將會延長開關管的導通和關斷時間，從而增大電源開管的損耗，使開關電源的工作效率大大降低。
開關管的開關損耗與開關管在普通開關電路中的損耗是不一樣的，在普通開關電路中，開關管的開關損耗與開關管的導通或關斷時間成正比，而在開關電源中，由于反電動勢的存在，使開關管的開關損耗計算非常復雜。
在開關電源中，開關電源的開關管的損耗主要是關斷損耗，開關管的導通損耗相對來說比較小，并且正激式開關電源的開關損耗與反激式開關電源開關管的開關損耗也不一樣，在正激式開關電源中，開關管的導通損耗要比反激式開關電源開關管的導通損耗大很多。
下面我們結合開關管的等效電路來對開關管的損耗進一步進行分析。
圖1-a 為晶體管開關電路原理圖
圖1-b 為晶體管開關等效電路原理圖
圖1-a和圖1-b分別為為晶體管開關電路的原理圖和等效電路原理圖，圖中：ub為晶體管（電源開關管）基極（或MOS管的柵極）的輸入電壓，Ri為晶體管基極（或MOS管的柵極）的輸入電阻，Ro為晶體管集電極（或MOS管的漏極）到地（發(fā)射極或源極）的靜態(tài)輸出電阻，Lo+ Ro為晶體管導通時集電極（或MOS管的漏極）到地（發(fā)射極或源極）的動態(tài)輸出電阻，Co+ Ro為晶體管關斷時集電極（或MOS管的漏極）到地（發(fā)射極或源極）的動態(tài)輸出電阻。
由圖1-b看出，可以把晶體管（或MOS管）輸入端可等效成一個電容C與一電阻R并聯(lián)，其輸入電壓為：
（3）
當晶體管（或MOS管）導通時，其輸出端可等效成一個電感L與電阻R串聯(lián)；而當關斷時，其輸出端可等效成一個電容C與一電阻R串聯(lián)；其輸出電壓為：
（4）
集電極電流為：
（5）
第三招：在所有的整流二極管兩端并聯(lián)一個470p電容
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