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低功率開關(guān)電容器帶隙，第 2 部分
在本期文章中，對傳統(tǒng)的帶隙電路進行了誤差分析，然后解釋了如何使用開關(guān)電容電路將這些誤差降至。圖 1 顯示了傳統(tǒng)的帶隙參考實現(xiàn)方案及其相關(guān)的誤差源。
2024-12-31
開關(guān)電容器
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消除電刷、降低噪音：ROHM 的新型電機驅(qū)動器 IC
典型的有刷直流電機是一種非常方便但噪音很大的設(shè)備。電刷實現(xiàn)極性反轉(zhuǎn)，也稱為“換向”，這樣您只需施加恒定的直流電壓即可使電機轉(zhuǎn)動。但與這些電刷相關(guān)的突然連接和斷開會導(dǎo)致瞬態(tài)干擾，從而影響連接到電機的電路（通過標(biāo)準(zhǔn)傳導(dǎo)路徑）以及附近的組件（通過 EMI）。
2024-12-29
消除電刷 噪音 ROHM 電機驅(qū)動器 IC
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ADC 總諧波失真
了解了 ADC 中的缺失代碼如何導(dǎo)致 ADC 輸出失真。這種失真將導(dǎo)致輸入信號的諧波出現(xiàn)在 ADC 的輸出中。雖然具有缺失代碼的 ADC 確實會產(chǎn)生大量諧波失真，但缺失代碼并不是諧波失真的來源。 ADC 輸出中的諧波失真是由 ADC 特性中存在的任何非線性引起的。每個實用的 ADC 都具有非線性特性。因此，每個...
2024-12-25
ADC 總諧波 失真
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-25
功率器件 熱設(shè)計 瞬態(tài)熱阻 二極管 浪涌電流
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴散
任何導(dǎo)熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說，銅基板也會有額外的熱阻，那為什么實際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因為熱的橫向擴散帶來的好處。
2024-12-22
功率器件 熱設(shè)計 功率半導(dǎo)體模塊 熱擴散
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準(zhǔn) Z 源逆變器的設(shè)計
qZSI 旨在解決與可再生能源中電壓范圍受限相關(guān)的挑戰(zhàn)，與 CSI 和 VSI 等傳統(tǒng)逆變器拓撲不同，qZSI 可以處理功率波動。qZSI 拓撲結(jié)構(gòu)增強了對突然電壓尖峰等故障的容忍度，從而提高了電壓轉(zhuǎn)換的整體效率和可靠性。QZSI 是從 Z 源逆變器 （ZSI） 拓撲演變而來的，允許在一個階段進行升壓和降壓操作。
2024-12-22
逆變器
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第12講：三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)
三菱電機開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET，并將其產(chǎn)品化，率先將其應(yīng)用于驅(qū)動鐵路車輛的變流器中，是一家在市場上擁有良好業(yè)績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)。
2024-12-22
三菱電機 SiC 芯片技術(shù)
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一文看懂電壓轉(zhuǎn)換的級聯(lián)和混合概念
對于需要從高輸入電壓轉(zhuǎn)換到極低輸出電壓的應(yīng)用，有不同的解決方案。一個有趣的例子是從48 V轉(zhuǎn)換到3.3 V。這樣的規(guī)格不僅在信息技術(shù)市場的服務(wù)器應(yīng)用中很常見，在電信應(yīng)用中同樣常見。
2024-12-22
電壓轉(zhuǎn)換 級聯(lián) 混合
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運算放大器參數(shù)的簡易測量“指南”
運算放大器是差分輸入、單端輸出的極高增益放大器，常用于高精度模擬電路，因此必須精確測量其性能。但在開環(huán)測量中，其開環(huán)增益可能高達107或更高，而拾取、雜散電流或塞貝克（熱電偶）效應(yīng)可能會在放大器輸入端產(chǎn)生非常小的電壓，這樣誤差將難以避免。
2024-12-20
運算放大器 測量
- 是否存在有關(guān) PCB 走線電感的經(jīng)驗法則？
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