【導讀】MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設計者需要知道這些參數(shù)。例如，設計一個高效的開關電源將要求設計者知道設備的電容，因為這將影響開關速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。
MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設計者需要知道這些參數(shù)。例如，設計一個高效的開關電源將要求設計者知道設備的電容，因為這將影響開關速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。
圖1. 功率MOSFET的組件級電容
三端功率半導體器件的電容可以在兩種不同的量級上看待：組件和電路。在組件上查看電容涉及到表征每個設備終端之間的電容。在電路上觀察電容涉及到描述組件級電容的組合。例如，圖1說明了一個功率MOSFET的組件級電容。圖2到圖4說明了一個功率MOSFET的組件級和電路級電容之間的關系。對BJT和IGBT器件也可以進行類似的電容測量。
關系如下：
CISS = CGS + CGD = 輸入電容
COSS = CDS + CGS = 輸出電容
CRSS = CGD = 反向傳輸電容
圖2. 功率MOSFET的輸入電容 圖3. 功率MOSFET的輸出電容 圖4. 功率MOSFET的反向傳輸電容
器件的電容通常隨所施加的電壓而變化。因此，完整的表征需要了解在最大額定電壓下的電容。本應用程序說明了如何使用4200A-CVIV開關提供的偏置功能以及在Clarius中測量CISS 、COSS和CRSS的。CVIV可以很容易地在I-V和C-V測量值之間切換，它還可以將C-V測量值移動到任何設備終端，而無需重新連接或抬起探針。
本文還顯示了儀器的直流輸出電壓如何從200V 加到400V，進行漏極上更高電壓的測量，這有利于測試更高功率的半導體，如GaN器件。該功能已在Clarius V1.6以上的版本添加并更新。
一、設備連接
本文描述的所有SMU和CVU連接都是通過4200A-CVIV進行連接的。CVIV可以有一個4210-CVU或4215-CVU，最多可以有四個SMU連接到一個設備上。使用4200A-CVIV提供了以下優(yōu)點：
內(nèi)置項目可測量高達200V和400V的CISS、 CRSS和COSS。
4200A-CVIV開關支持自動測量。不需要重新連接設備或電纜。
開路和短路的C-V補償。
圖5顯示了MOSFET與CVIV的連接。對于這個特定的應用程序，至少需要三個SMU和一個CVU來完成測試。圖6顯示了封裝的MOSFET的實際CVIV連接。請注意，CVIV 上的所有通道都是打開的。4200A-CVIV 的四個通道將根據(jù)每次測試的配置進行配置，因此每次測試都不需要電纜重新連接。
圖5. MOSFET連接到4200A-CVIV的輸出端 圖6. 連接到4200A-CVIV的封裝MOSFET
二、在Clarius軟件中配置測量
Clarius的庫有兩個在mosfet上執(zhí)行三端電容測量的項目。這兩個項目在 Clarius 中配置相似，不同之處在于能力。一個項目，“MOSFET 3-terminal C-V Test Using 4200A-CVIV Bias Tees”使用一個SMU加到漏端，從0到200V直流偏置電壓掃描。另一個項目，“MOSFET 3-terminal C-V tests up to 400 V using 4200A-CVIV Bias Tees”使用一種新方法將電壓從0到400V。這種方法同時使用三個SMU掃描，每個器件端口上一個SMU，提供一個400V直流差分電壓。
圖7. 使用SweepV用戶模塊的MOSFET-CVIV-CV-Bias-Tees項目
圖7顯示了“使用4200A-CVIV BiasT的MOSFET3端C-V測試”項目，該項目使用了hivcvulib中的SweepV用戶模塊。該用戶模塊允許在漏極處進行一次掃描，并在器件每個端口處進行電容測量。首先，進行開路和短路補償，以確保準確的測量。執(zhí)行這些補償需要執(zhí)行特定的配置步驟。它們被稱為補償測量，并在項目樹中提供。在執(zhí)行任何測試之前，將對每個測試執(zhí)行補償。4200A可以存儲對每個配置的補償，可以執(zhí)行多個測試。該項目有五種不同的配置：CISS、CRSS、COSS、CGS和CDS 。
CVIV配置
必須為每個測試配置CVIV。CVIV有許多輸出模式，這些都在用戶手冊中有描述。表1列出了各種輸出模式。
表1. 4200A-CVIV輸出模式
圖8到圖12顯示了對每個元件和電路級電容測量的CVIV的每個通道的狀態(tài)。
圖8顯示了CGS的配置，當SMU在漏極處掃描直流電壓時，該測試測量了MOSFET的柵極和源極之間的電容。圖9顯示了CDS的配置，當SMU在漏極處掃描直流電壓時，該測試測量了漏極和源極之間的電容。圖10顯示了CRSS配置。該測試測量MSMU掃掃漏極直流電壓時MOSFET的反向傳輸電容。
圖11顯示了CISS的配置，該測試測量MSU掃描直流電壓時，MOSFET的輸入電容。圖12顯示了COSS配置，該測試在SMU掃描漏極的直流電壓時測量MOSFET的輸出電容。一旦執(zhí)行了測試，數(shù)據(jù)就會被繪制出來。圖13顯示了由4200A生成的MOSFET的電容特性數(shù)據(jù)。
圖13. MOSFET掃描到200V的電容特性
三、400V直流電壓掃描
利用4200A-CVIV多開關同時掃描多個SMU，將MOSFET器件的輸出電壓翻倍至400V的新方法。這些測試通常在OFF狀態(tài)（VGS = 0V）下進行。通常在漏極有一個掃描SMU，使用4200A-CVIV內(nèi)置的偏置能力，在每個終端測量電容。
圖14. 三個SMU同時掃描
圖14顯示了連接到MOSFET的三個端口的三個掃描SMU。SMU1和SMU2將使用高達400V的差分電壓。SMU2和SMU3必須在相同的電壓下同時掃描，這可以使柵極下降0V。使用這種方法，我們可以在Drain端產(chǎn)生一個400V的掃描電壓。此方法僅用于封裝器件，而不適用于晶圓級設備。
這些測量是使用multiple SMU_SweepV用戶模塊執(zhí)行的，可在hivcvulib用戶庫中獲得。
圖15. 輸出高達400V直流差分的項目
圖 15 顯示了使用用戶模塊Multiple SMU_SweepV的4200A-CVIV Bias Tee項目進行高達400V的MOSFET三端口C-V測試。項目樹的設置方式與上一個項目相同。所有的CVIV配置操作，包括補償，都以完全相同的方式完成。唯一的區(qū)別是，還必須配置另外兩個SMU。默認情況下，測試應該在Drain上從0掃到400V。柵極和源極SMU應同時在相同的電壓下掃描。用戶還能夠根據(jù)被測試設備的阻抗來改變CVU設置，如頻率、范圍和速度。
圖16. MOSFET掃描到400V的電容特性
圖17. 400V掃描的輸出數(shù)據(jù)
圖16顯示了由4200A-SCS中測試MOSFET上高達400V的C-V掃描圖。差分電壓為一個計算值。區(qū)別在于漏極和源極之間的電壓不同。圖17顯示了輸出數(shù)據(jù)，其中列出了三個端口上的掃描電壓。Diffvoltage是計算出的差分電壓值。
四、總結(jié)
MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關速度受到元件本身電容的影響。本應用程序說明了如何使用4200A-CVIV能夠在不需要重新連接任何電纜的情況下，在200V直流偏置的情況下進行這些測量，從而減少了用戶錯誤并允許自動測試。它還允許直接測量電路級電容，而不需要通過組件級電容，這允許電路級設計者更快地獲得所需的數(shù)據(jù)。
此外，當在三端器件上測量電容時，通常有一個端子不包括在測量中，其電容可能會影響整體測量。在每個端口使用偏置網(wǎng)絡消除了外部電容或短路的影響。
我們還展示了一種新的方法，通過同時使用三臺SMU進行掃頻，使在三端器件上的4200A的直流偏置加倍。柵極和源極SMU在同一極性上同時掃描，以避免設備的開態(tài)狀態(tài)的影響。漏極SMU將掃描源極和柵極的相反極性，從而使差分電壓翻倍。這支持在漏極處進行高達400V的電壓掃描，這有利于測試更高功率的半導體，如GaN。
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