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英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議

發(fā)布時間:2010-01-01 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

公司事件:

  • 英飛凌與飛兆半導(dǎo)體之間的專利侵權(quán)訴訟已達成和解

行業(yè)影響:

  • 英飛凌目前正在和多家半導(dǎo)體公司進行專利許可談判

英飛凌科技股份公司今天宣布,公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達成和解。2008年11月,英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項專利。

通過廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可,雙方就上述訴訟達成和解。根據(jù)和解協(xié)議,飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費,但協(xié)議的具體條款和條件保密。

英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國特拉華州地方法院,雙方已經(jīng)達成和解,并將申請撤訴。

作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖,英飛凌目前正在和多家半導(dǎo)體公司進行專利許可談判。英飛凌認(rèn)為,這些談判對持續(xù)保護其知識產(chǎn)權(quán)和商業(yè)利益至關(guān)重要。

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