- 優(yōu)異的導通阻抗
- 更高的開關性能
- 優(yōu)化的低門電荷及低導通阻抗
- 無鉛、無鹵素，符合RoHS指令
- 計算機(PC)、服務器、游戲機、處理器穩(wěn)壓電源(VRM)
- 負載點(POL)應用中的同步直流-直流(DC-DC)轉換器
安森美半導體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計算機和游戲機應用中的同步降壓轉換器提供更高的開關性能。
新系列的MOSFET利用安森美半導體獲市場驗證的溝槽技術，提供優(yōu)異的導通阻抗[RDS(on)]及更高的開關性能，用于個人計算機(PC)、服務器、游戲機、處理器穩(wěn)壓電源(VRM)及負載點(POL)應用中的同步直流-直流(DC-DC)轉換器。直接替代NTD48x、NTMFS48x及NTMS48x系列的DPAK、SO-8FL及SOIC-8封裝方案，以及新的µ8FL 3.3 mm x 3.3 mm封裝方案，就其封裝尺寸而言，提供業(yè)界領先的低導通阻抗。
安森美半導體功率MOSFET產品副總裁兼總經理Paul Leonard說：“計算機和游戲機領域的電源管理設計工程師能夠利用安森美半導體最新的30 V溝槽MOSFET方案提升總能效。我們利用電源管理及封裝技術專長，為我們的客戶提供多種方案，以應對提升能效及節(jié)省空間等設計挑戰(zhàn)。”
安森美半導體的新MOSFET采用先進的封裝系列，具有優(yōu)化的低門電荷及低導通阻抗，提升開關性能及系統(tǒng)總能效。所有器件均為無鉛、無鹵素器件，且符合RoHS指令。
